MMBZ33VAL,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MMBZ33VAL,215

商品编码: BM0000037076
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
ESD二极管 MMBZ33VAL,215 SOT-23 双向
库存 :
180(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.342
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.342
--
200+
¥0.221
--
1500+
¥0.192
--
3000+
¥0.171
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBZ33VAL,215参数

反向截止电压(Vrwm)26V最大钳位电压46V
峰值脉冲电流(Ipp)870mA峰值脉冲功率(Ppp)40W
击穿电压31.35V通道数双路
工作温度-55℃~+150℃@(Ta)类型ESD

MMBZ33VAL,215手册

MMBZ33VAL,215概述

MMBZ33VAL,215 产品概述

产品简介

MMBZ33VAL,215 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能齐纳二极管,属于汽车级电子元器件系列,符合 AEC-Q101 标准。这款器件专为汽车应用场景设计,具备出色的温度稳定性和可靠性,适用于各种电子设备和系统中对电压保护与浪涌抑制有严格要求的场景。

主要技术参数

  • 反向断态电压 (V_R): 典型值为 26V,最大值为 31.35V,这使得 MMBZ33VAL,215 能够有效地保护电路免受过高电压影响。
  • 击穿电压: 最小击穿电压为 31.35V,确保在工作过程中保持稳定的电气特性。
  • 最大箝位电压: 在不同峰值电流(Ipp)下,箝位电压最大可达 46V,确保在瞬态事件发生时提供良好的电压抑制能力。
  • 峰值脉冲电流 (I_pp): 在 10/1000µs 的脉冲宽度下,峰值脉冲电流可达 870mA,适用于短时高电流瞬间的保护。
  • 功率: 具备高达 40W 的峰值脉冲功率能力,使其在应对浪涌电流时表现出色。
  • 上升时间: 在高频应用中,电容值为 45pF (1MHz),有助于降低信号失真,适合高速信号保护。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C 的宽广工作温度范围使得该元件能在严苛环境下正常工作,满足汽车及工业应用的温度需求。

封装信息与安装

MMBZ33VAL,215 采用表面贴装型 TO-236-3 (SOT-23) 封装,其紧凑的尺寸(TO-236AB)使得它非常适合空间有限的电子电路板。表面贴装技术的应用使得焊接和组装更加简便,提高了生产效率。该封装类型同时有助于减少电感和寄生电容,从而提升元件在高频操作中的性能。

应用领域

MMBZ33VAL,215 的设计使其特别适合于汽车电子产品、移动设备及其他要求高可靠性的应用领域。其优异的电压保护特性能够有效地防止静电放电(ESD)、过压和浪涌电流对电路的影响,因此在汽车控制单元(ECU)、导航系统、车载娱乐系统以及电动汽车(EV)的充电管理系统中皆可找到其身影。

结论

总之,MMBZ33VAL,215 齐纳二极管是一个高性能的电压保护解决方案,以其卓越的电气特性和坚固的汽车级设计,为需要稳定性和可靠性的应用提供了保障。随着汽车电子技术的进步和市场需求的提升,MMBZ33VAL,215 将继续发挥其重要作用,助力汽车电子的发展以及其他行业的创新。选择 MMBZ33VAL,215,您可以信赖其出色的性能来保护您的电子设备,为您的设计提供强有力的支持。