集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 250mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@1mA,5V |
输入电阻 | 10kΩ | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
PDTC114TT,215是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能NPN预偏压晶体管,专为紧凑型电子电路中的高效驱动和信号放大应用而设计。作为一款表面贴装型(SMD)晶体管,PDTC114TT,215适用于各种现代电子设备,包括消费电子、工业自动化、通信设备以及其他需要高密度组装的应用场景。
高增益表现: PDTC114TT,215的直流电流增益(hFE)在一定的工作条件下能够达到最小值200,这使得该晶体管能够在低基极电流(Ib)条件下实现有效的信号放大,提升电路设计的灵活性与可靠性。尤其是在基极电流仅为1mA时,能够确保集电极电流(Ic)达到5V的工作状态下仍然保持良好的增益特性,将使得此器件成为高效的信号处理与驱动方式。
低饱和电压: 在500µA的基极电流和最大10mA集电极电流的操作条件下,PDTC114TT,215的Vce饱和压降最大为150mV。这意味着在开关操作时,该器件能够在很低的功耗下进行有效的开关切换,进而减少了电路的能耗,延长了电池供电设备的使用寿命。
优越的电流和电压容限: 该晶体管的最大集电极电流(Ic)为100mA,最大集射极击穿电压(Vce)则可以达到50V,从而在设计中提供了良好的安全余量。这种高电流和电压处理能力使其适用于各种电力应用,并能应对突发的电压波动。
紧凑的封装设计: PDTC114TT,215采用SOT-23-3封装,具有小巧的体积和轻便的重量,非常适合应用于空间受限的电路中。这种表面贴装型的特性不仅简化了装配过程,还适应了现代高密度PCB设计的需求。
低静态电流: PDTC114TT,215的集电极截止电流最高仅为1µA,这确保了在无信号状态下能耗极低,为设计低功耗应用提供了必要的支持,适合无线传感器、可穿戴设备等应用。
PDTC114TT,215因其优越的性能与灵活的参数配置,非常适用于以下领域:
总体而言,PDTC114TT,215是一款性能优越、应用广泛的数字NPN预偏压晶体管,适合需要高增益、低功耗及高可靠性的电子电路。凭借其低饱和电压、适中的电流和电压容忍度配合高电流增益,使得PDTC114TT,215在现代电子设计中,不论是高效的开关电路还是高质量的信号放大应用,均展现了其优异的价值。对于电子工程师来说,这是一个值得信赖和选用的组件,能够帮助优化设计并提升产品竞争力。