PDTC114TT,215 产品实物图片
PDTC114TT,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PDTC114TT,215

商品编码: BM0000037077
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
1902(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.363
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.363
--
200+
¥0.121
--
1500+
¥0.0756
--
3000+
¥0.06
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTC114TT,215参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)250mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@1mA,5V
输入电阻10kΩ工作温度-40℃~+150℃

PDTC114TT,215手册

PDTC114TT,215概述

产品概述:PDTC114TT,215

PDTC114TT,215是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能NPN预偏压晶体管,专为紧凑型电子电路中的高效驱动和信号放大应用而设计。作为一款表面贴装型(SMD)晶体管,PDTC114TT,215适用于各种现代电子设备,包括消费电子、工业自动化、通信设备以及其他需要高密度组装的应用场景。

主要特性:

  1. 高增益表现: PDTC114TT,215的直流电流增益(hFE)在一定的工作条件下能够达到最小值200,这使得该晶体管能够在低基极电流(Ib)条件下实现有效的信号放大,提升电路设计的灵活性与可靠性。尤其是在基极电流仅为1mA时,能够确保集电极电流(Ic)达到5V的工作状态下仍然保持良好的增益特性,将使得此器件成为高效的信号处理与驱动方式。

  2. 低饱和电压: 在500µA的基极电流和最大10mA集电极电流的操作条件下,PDTC114TT,215的Vce饱和压降最大为150mV。这意味着在开关操作时,该器件能够在很低的功耗下进行有效的开关切换,进而减少了电路的能耗,延长了电池供电设备的使用寿命。

  3. 优越的电流和电压容限: 该晶体管的最大集电极电流(Ic)为100mA,最大集射极击穿电压(Vce)则可以达到50V,从而在设计中提供了良好的安全余量。这种高电流和电压处理能力使其适用于各种电力应用,并能应对突发的电压波动。

  4. 紧凑的封装设计: PDTC114TT,215采用SOT-23-3封装,具有小巧的体积和轻便的重量,非常适合应用于空间受限的电路中。这种表面贴装型的特性不仅简化了装配过程,还适应了现代高密度PCB设计的需求。

  5. 低静态电流: PDTC114TT,215的集电极截止电流最高仅为1µA,这确保了在无信号状态下能耗极低,为设计低功耗应用提供了必要的支持,适合无线传感器、可穿戴设备等应用。

应用场景:

PDTC114TT,215因其优越的性能与灵活的参数配置,非常适用于以下领域:

  • 消费电子:如音频放大器、电视、音响设备中作为开关或信号放大器;
  • 工业自动化:用于传感器信号处理和执行器驱动电路;
  • 通信设备:可作为信号放大器用在信号发射和接受模块;
  • 电源管理:用于负载开关和降压转化器中的输出管理。

结论:

总体而言,PDTC114TT,215是一款性能优越、应用广泛的数字NPN预偏压晶体管,适合需要高增益、低功耗及高可靠性的电子电路。凭借其低饱和电压、适中的电流和电压容忍度配合高电流增益,使得PDTC114TT,215在现代电子设计中,不论是高效的开关电路还是高质量的信号放大应用,均展现了其优异的价值。对于电子工程师来说,这是一个值得信赖和选用的组件,能够帮助优化设计并提升产品竞争力。