PDTC123YU,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PDTC123YU,115

商品编码: BM0000037099
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-323-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.049g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存 :
3202(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.114
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.114
--
3000+
¥0.0904
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTC123YU,115参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)35@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.15V@20mA,300mV最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)750mV@100uA,5V
输入电阻2.2kΩ电阻比率4.5
工作温度-65℃~+150℃

PDTC123YU,115手册

PDTC123YU,115概述

PDTC123YU,115 产品概述

1. 介绍

PDTC123YU,115 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 NPN 预偏置数字晶体管,采用表面贴装型封装(SOT-323-3)。此产品设计用于处理较小的信号,并能够在多种电子应用中提供可靠的开关和放大功能。凭借其出色的电流增益和低饱和电压,PDTC123YU,115 适合用作开关、信号放大器和其他需要NPN结构的电子元器件。

2. 关键规格

  • 晶体管类型:NPN - 预偏置
  • 最大集电极电流(Ic):100mA
  • 最大集射极击穿电压(Vce):50V
  • 功率最大值:200mW
  • 增益(hFE):在5mA、5V时的最小值为35
  • 饱和电压(Vce, sat):在500µA、10mA时最大值为150mV
  • 集电极截止电流(Ic(max)):1µA

3. 封装与安装

PDTC123YU,115 采用 SOT-323-3 封装,这是一个广泛使用的表面贴装型包件,适合自动贴片和空间受限的应用场景。其紧凑的封装设计不仅有效节省了板空间,还能够提高系统的密度,适应现代电子设备对轻便和小型化的要求。

4. 应用场景

PDTC123YU,115 的设计使其非常适合在计算机硬件、消费电子、汽车电子和工业设备等领域中的各种应用。这些应用包括:

  • 开关电路: 由于其高增益、低饱和压降的特性,PDTC123YU,115 可用作开关元件,控制较大负载的开关操作。
  • 信号放大: 此晶体管可用于放大微弱的信号,适合用于放大器电路的输入端。
  • 逻辑电路: 可以用于实现简单的逻辑功能,比如反相、与门等基本逻辑电路。
  • 驱动电路: PDTC123YU,115 可用于驱动继电器、LED或其他低功率输出设备。

5. 性能优势

PDTC123YU,115 提供了多个性能优势,使其在各种复杂应用中与其他常规晶体管相比更为优越。首先,其较低的饱和电压(150mV)有助于提升电源的整体效率,尤其是在持续开关应用中。其次,200mW 的额定功率和高集电极电流能力使其能够处理较为复杂的负载而不会过热,保证了系统的稳定性。

进一步地,集电极截止电流的极低值(1µA)减少了在静态条件下的功耗,优化了在待机模式下设备的功效。这样的特点在电池驱动的便携式设备中尤为重要,能够有效延长电池续航时间。

6. 总结

综上所述,PDTC123YU,115 是一款性能优越、应用广泛的NPN预偏置数字晶体管。轻便小巧的 SOT-323-3 封装结构,使其在空间受限的情况下依然能够发挥出色的性能。其显著的电流增益、低饱和压降以及较高的电力处理能力,使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是作为开关元件还是信号放大器,PDTC123YU,115 都能在各类应用中提供可靠的性能。随着智能家居、消费电子及工业自动化等领域的发展,PDTC123YU,115 的使用场景将愈加广泛。