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PDTC143EU,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PDTC143EU,115RoHS
商品编码:
BM0000037101复制
品牌:
Nexperia(安世)复制
封装:
SOT-323复制
包装:
编带复制
重量:
0.023g复制
描述:
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
PDTC143EU,115参数
属性
参数值
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)30
射基极击穿电压(Vebo)10V
最小输入电压(VI(on))2.5V
属性
参数值
最大输入电压(VI(off))1.1V
输入电阻6.1kΩ
电阻比率1.2
工作温度-65℃~+150℃
集射极饱和电压(VCE(sat))150mV
特征频率(fT)230MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
PDTC143EU,115手册
PDTC143EU,115概述

产品概述:PDTC143EU,115

一、产品简介

PDTC143EU,115 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的数字晶体管,采用 SOT-323-3 表面贴装封装,主要工作于 NPN 预偏置模式。这款晶体管专为各种电子应用设计,具有高性能和良好的电气特性。该组件以其小巧的尺寸和满足高频率响应的能力,成为现代电子设备中不可或缺的基础元器件。

二、关键特性

  1. 工作电流与电压

    • 最大集电极电流 (Ic):100mA
    • 集射极击穿电压 (Vce):50V
  2. 增益与饱和特性

    • 在不同的集电极电流(Ic)和集电极电压(Vce)条件下,直流电流增益 (hFE) 最小值为 30,测试条件为 10mA 电流和 5V 电压。
    • Vce 饱和压降最大值为 150mV,在 500µA 基极电流 (Ib) 和 10mA 集电极电流条件下测得。
  3. 低漏电流

    • 在最大集电极截止情况下,漏电流小于 1µA,显示出该元件极好的关断特性和可靠性。
  4. 功率处理能力

    • 该晶体管的最大功率为 200mW,适合多种功率等级的应用需求。
  5. 电阻特性

    • 基极电阻 (R1) 和发射极电阻 (R2) 各为 4.7 kOhms,为控制电流和偏置提供稳定的工作点。

三、封装与安装

PDTC143EU,115 采用 SOT-323 封装,体积小巧(仅为3引脚),便于表面贴装。其设计符合现代电子设备的轻量化和小型化趋势,适合高密度电路板布线。此外,这种封装方式提高了装配效率,有助于实现自动化生产。

四、应用场景

PDTC143EU,115 晶体管可广泛应用于以下领域:

  1. 数字电路:作为开关元件,在信号的高低状态切换中起到控制作用。

  2. 模拟电路:用于信号放大和处理,能够有效提升信号的强度和质量。

  3. 电源管理:在电源开关、稳压器和其他电源转换模块中发挥作用。

  4. 小型家电:由于其小巧的尺寸和适应性,可用于智能家居、家电中的控制电路。

  5. 网路设备与电子消费品:在超小型和便携式消费电子产品中得到广泛应用。

五、性能优势

  • 高性能:具备出色的电流增益特性和低饱和压降,适合多种负载条件。
  • 稳定性:良好的集电极截止特性确保在不同工作环境下的可靠性。
  • 小型封装:方便在空间有限的应用中布置。
  • 易于使用:简单的电路拓扑和稳定的工作特性使其成为设计工程师的理想选择。

六、市场潜力

随着智能设备、物联网技术和消费电子产品的迅速发展,对小型、高性能电子元件的需求日益增长。PDTC143EU,115 凭借其优越的电气性能和多样的应用场景,极有潜力在市场中占据一席之地。

结论

PDTC143EU,115 是一款性能优越、应用广泛的数字晶体管,极致的小型化和高可靠性特性使其成为理想的电子元器件选择。无论在新产品开发还是现有产品升级中,PDTC143EU,115 都能够为设计师提供卓越的解决方案。

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