类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 95mΩ@4.5V,3.6A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@15uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.6nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 657pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15.3pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSL606SNH6327XTSA1 是来自英飞凌(Infineon Technologies)的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),设计用于汽车及其他严苛环境的应用。该产品符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车行业的关键应用中,具备优良的质量和可靠性。
这款 MOSFET 采用了先进的 OptiMOS™ 技术,具有以下主要特性:
BSL606SNH6327XTSA1 的导通电阻(Rds On)在不同的 Id 和 Vgs 条件下表现出色:
BSL606SNH6327XTSA1 采用 TSOP-6-6 表面贴装封装,适合现代电子产品的小型化和高密度设计。其尺寸紧凑,简化了PCB布局,并减少了电路板的空间占用。通过卷带(TR)形式供货,使得自动化生产线的贴装更为便捷。
BSL606SNH6327XTSA1 被广泛应用于以下领域:
BSL606SNH6327XTSA1 是一款结合了高效能与卓越可靠性的 N 通道 MOSFET,适用于汽车及工业领域中的各种应用,是设计工程师在寻找高品质、高性能组件时的一项优秀选择。凭借其优异的电气性能与宽广的工作温度范围,这款器件为客户提供了强大的设计灵活性和可扩展性,满足了现代电子产品日益增长的需求。