晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 625mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100uA,1.0V | 特征频率(fT) | 250MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT100是一款高性能NPN型晶体管,专为各种电子应用设计。其具有优良的电气特性和温度稳定性,适用于高频和高电流应用。作为ON Semiconductor(安森美)生产的一款三极管,其经久耐用且具有良好的性价比,广泛应用于信号放大、开关电路、驱动电路及其他电子设备中。
晶体管类型:NPN
集电极电流(Ic):
集射极击穿电压(Vce (BR)):
饱和压降(Vce(sat)):
集电极截止电流(Ic(max)):
直流电流增益(hFE):
功率消耗:
工作频率:
工作温度范围:
封装类型:
MMBT100广泛应用于以下几个领域:
在设计使用MMBT100的电路时,需要考虑以下几点:
MMBT100是一款功能强大且灵活应用的NPN型晶体管,凭借其卓越的性能和广泛的工作环境适应性,成为电子工程师在设计中常用的元器件之一。由于其低功耗特性和高集电极电流能力,MMBT100被广泛应用于各种电子设备中,符合现代电路对性能、可靠性及功耗的严苛要求。无论是在音频放大器、开关电路还是RF信号处理应用中,MMBT100都展现出色的性能,是值得信赖的选择。