IS61WV25616BLL-10TLI

IS61WV25616BLL-10TLI 产品概述

概述

IS61WV25616BLL-10TLI是一款高性能的静态随机存取存储器（SRAM），由美国品牌ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产。该器件具备4Mbit的存储容量，具备256K x 16的存储组织形式，特别设计用于需要快速存储和读取的应用场合。其优异的技术特性和宽广的工作温度范围使其成为各种电子产品中的理想选择。

基础参数

• 存储器类型: 易失性 (Volatile)
• 存储器格式: SRAM（静态随机存取存储器）
• 技术类型: 异步SRAM
• 存储容量: 4Mb（256K x 16位）
• 存储器接口: 并行接口
• 写周期时间: 10ns（以字为单位）
• 访问时间: 10ns
• 供电电压: 2.4V ~ 3.6V
• 工作温度范围: -40°C ~ 85°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装形式: 44-TSOP II（0.400英寸，10.16mm宽）

关键技术特性

IS61WV25616BLL-10TLI采用高性能的异步SRAM技术，具有快速的访问时间和写周期时间，各为10ns。这使得该器件在数据处理和存取时的延迟大大降低，提升了整体系统的响应速度和性能。并行接口设计简化了系统的连接，并易于与各种处理器和控制器进行接口。

电压和温度稳定性

该SRAM器件的供电电压范围为2.4V ~ 3.6V，能够适应多种不同的电源设计要求。此外，IS61WV25616BLL-10TLI的工作温度范围从-40°C到85°C，意味着该器件能够在极端的环境条件下可靠运行。这种高温度稳定性使其非常适合军事、工业和汽车应用，满足严苛工作条件下的需求。

封装和安装

IS61WV25616BLL-10TLI采用44-TSOP II封装，使其适合需要小占板面积的设计。表面贴装的设计使安装过程更加简便，能够快速集成到电路板中。此外，这种封装形式有助于提高电路的信号完整性和减少安装引起的电磁干扰。

应用场景

IS61WV25616BLL-10TLI适用于多种应用，包括但不限于：

• 网络设备（如路由器和交换机）
• 工业控制系统
• 消费类电子产品（如家用电器、智能设备）
• 汽车电子（如导航系统和车载信息娱乐系统）
• 嵌入式系统
• 便携式设备

结论

综上所述，IS61WV25616BLL-10TLI以其出色的性能参数和宽广的应用场景，成为高效存储解决方案中的佼佼者。适用于各种严苛条件与高需求的应用，它的出现为开发者提供了灵活且可靠的存储选择。在设计您的下一代电子产品时，考虑引入IS61WV25616BLL-10TLI，能够有效提升系统的整体性能与可靠性。