STF25N60M2-EP

产品概述：STF25N60M2-EP 600V N沟道MOSFET

1. 产品简介

STF25N60M2-EP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该产品特别设计用于需要高电压和大电流的应用场景，适用于电源管理、驱动电路及高效电能转换等领域。其具有额定漏源电压600V和连续漏极电流18A，能够为用户提供稳定和可靠的电气性能。

2. 技术参数

• FET类型：N通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物场效应管）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流 - 连续漏极（Id）：18A（Tc）
• 驱动电压及导通电阻：在10V的驱动电压下，其最大导通电阻（Rds On）在9A时达188毫欧，表现了优异的导电性能。
• Vgs(th)（阈值电压）：不同Id时Vgs(th)的最大值为4.75V（@ 250µA），确保能够在较低的栅压下实现导通。
• 栅极电荷（Qg）：最大值29nC（@ 10V），意味着在高频开关应用中该器件具有较低的栅极驱动损耗。
• Vgs（最大值）：±25V，确保在多种驱动条件下的安全操作。
• 输入电容（Ciss）：1090pF（@ 100V），提示器件在开关操作中的良好响应特性，有利于提高开关频率。
• 功率耗散（最大值）：30W（Tc），保障其在高功率情况下的稳定运行。
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ），适应各种恶劣工作环境。
• 封装类型：TO-220FP，适合热管理要求，并且易于散热。

3. 应用场景

STF25N60M2-EP适用于各种应用场景，尤其是在电源转换、驱动电路以及工业自动化设备中，其高漏源电压和大电流容量使其成为高功率应用的理想选择。具体应用包括：

• 开关电源（SMPS）
• 不间断电源（UPS）
• 电机驱动控制
• 高效能DC-DC转换器
• 照明控制和电源调节

4. 性能优势

STF25N60M2-EP在许多高电压和高电流应用中提供了显著的性能优势。其低导通电阻和小栅极电荷特性使其能够在高频率操作时保持较低的功耗，提升了整个电路的效率。这款MOSFET经过优化设计，以实现快速开关能力并减少在频繁切换时的热量生成。其优秀的热稳定性和工作温度范围，使得该器件在工业和电力应用中能够保障长期稳定的运行。

5. 综合评价

通过综合各项技术参数和应用优势，STF25N60M2-EP MOSFET可以被认为是一款性能优良的高压半导体器件。无论是在功率损耗、热管理还是可靠性方面，该产品都展现出意法半导体的高品质和创新能力，使其在市场上具有强大的竞争力。对于需要高效率、高效能和高可靠性的应用，STF25N60M2-EP是一个非常值得考虑的选择。