STB13N80K5

STB13N80K5 产品概述

STB13N80K5 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，适用于各种高压和高功率应用。该器件具备卓越的电气特性和宽广的工作温度范围，特别适合在要求苛刻的环境中操作。

主要参数

1. 漏源电压（Vdss）：800V。这一高压等级使得 STB13N80K5 能够在诸如开关电源和逆变器等高压应用中可靠工作。

2. 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境下，该器件能持续承受 12A 的漏极电流。得益于其良好的热管理设计，STB13N80K5 在动态负载下也能保持稳定的工作性能。

3. 导通电阻（Rds(on)）：最大值为 450 毫欧在 6A、10V 的条件下。这一低导通电阻特性有效降低了功率损耗，并提高了整体效率。

4. 驱动电压（Vgs）：该器件的驱动电压范围为 ±30V，最小 Rds(on) 值在 10V 驱动下可达到最佳状态，确保器件在开关状态下能获得良好的导通性能。

5. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 100µA 时的最大阈值电压为 5V，有助于在低电压驱动情况下启用器件。

6. 栅极电荷（Qg）：最大值为 29nC，在 10V 驱动条件下，较小的栅极电荷使得开关速度更快，降低了开关损耗。

7. 输入电容（Ciss）：在 100V 的条件下，输入电容最大值为 870pF，良好的输入电容特性确保了器件在高频应用中的稳定性与响应速度。

8. 功率耗散：该器件的最大功率耗散能力达到 190W，在许多高功率场合中，STB13N80K5 均能表现出色。

9. 工作温度范围：该 MOSFET 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内正常工作，适用各种气候条件的应用。

10. 封装：STB13N80K5 采用 D2PAK 封装，适合表面贴装，能够有效提高散热性能并节省板上空间。该封装同时支持高效的热管理，适应高功率应用的需求。

应用场景

STB13N80K5 的设计使其特别适合多种应用场合，包括但不限于：

• 开关电源：用于各种电源转换，如 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器等，可以有效提高转换效率和稳定性。

• 逆变器：在可再生能源系统（如太阳能和风能逆变器）中，STB13N80K5 可以作为功率开关，确保高效的能量转换。

• 电池管理系统：能够满足电池充放电过程中的高压和高电流需求，确保系统的安全运行。

• 工业控制系统：在各种工业设备及自动化控制中，作为功率开关提供可靠的性能。

总结

STB13N80K5 是一款功能强大且可靠的 N 通道 MOSFET，具有很好的电气特性和广泛的应用潜力。凭借其高耐压、低导通电阻和优异的热性能，它已成为高压和高功率电子设计中的理想选择。无论是在开关电源、逆变器还是电池管理系统中，STB13N80K5 都能为工程师提供一个稳定、有效的解决方案。