类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 150W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 62nC@50V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.18nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 83.7pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STP40NF10是一款N沟道的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),在电子元器件市场中广泛应用。该器件的主要参数包括漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极电流(Id)为50A,凭借其优秀的性能和可靠性,非常适合高功率应用。
STP40NF10的工作温度范围广泛,从-55°C至175°C(TJ),使之可在极端环境中稳定运行。在高温条件下,器件仍能保持良好的电性能,适合用于高温工业应用及汽车电子领域。
STP40NF10采用TO-220AB封装形式,具有良好的散热性能,适合通过通孔安装,方便与各种电路板兼容。TO-220封装设计对于高功率应用尤为重要,能够有效地散热并降低电阻,延长器件使用寿命。
STP40NF10广泛应用于多种电力电子领域,包括:
STP40NF10作为一款高性能的N-channel MOSFET,不仅在电压和电流参数上具有显著优势,其低导通电阻和广泛的工作温度范围使其成为高效电源电路和驱动应用的理想选择。无论是在设计高效能电源转换器,还是在控制复杂的电动机驱动系统,STP40NF10都能提供卓越的性能与可靠性,是电子设计工程师的理想元件选择。