类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 31A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 77mΩ@10V,19A |
功率(Pd) | 180W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 72nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.7nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 110pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFP140PBF 是来自VISHAY(威世)的高性能N通道MOSFET,适用于各种高电压和高电流的应用领域。该器件的主要规格为额定漏源电压(Vdss)为100V,最大连续漏极电流(Id)为31A,功率耗散能力高达180W,广泛应用于开关电源、直流电机驱动、负载开关以及其他需要高效率和高功率的电子电路。
IRFP140PBF采用TO-247-3封装,这种通孔封装形式使得它能够在高功率应用中得到有效散热,且布局灵活性较好。TO-247-3封装适合各种电路板设计,可以轻松的焊接与安装。
由于其卓越的性能指标,IRFP140PBF特别适合以下应用:
IRFP140PBF不仅具备高电压和高电流的处理能力,同时,其极低的导通电阻和栅极电荷为开关频率的提升提供了可能。该MOSFET在高温环境下的优异表现使其在工业、汽车及航空等领域具有广泛的应用潜力。
综上所述,IRFP140PBF是一款技术先进、高性能的N通道MOSFET,提供了高电压(100V)、高电流(31A)和高功率(180W)的解决方案,为现代电子设备和电源系统提供了卓越的性能支持。无论是在高频开关电源、直流电机驱动还是其他高功率应用中,IRFP140PBF都能极大地提升系统的效率和稳定性,是电子工程师值得信赖的选择。