IRFPE40PBF 产品实物图片
IRFPE40PBF 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFPE40PBF

商品编码: BM0000053724
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
8.2g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 150W 800V 5.4A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
8.87
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.87
--
500+
¥8.53
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFPE40PBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)3.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,3.2A
功率(Pd)150W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)130nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.9nF@0V
反向传输电容(Crss@Vds)280pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRFPE40PBF手册

IRFPE40PBF概述

产品概述:IRFPE40PBF MOSFET

概述

IRFPE40PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由知名电子元件制造商 VISHAY(威世)生产,广泛应用于高压和高功率电子电路中。它的设计旨在满足现代工业应用对能效、散热性能及可靠性的严苛要求。该器件的封装类型为 TO-247-3,适合用于需要通孔安装的场合,便于散热和提升电流承载能力。

技术规格

IRFPE40PBF 的关键电气参数如下:

  • 漏源电压 (Vdss):承受高达 800V 的漏电压,使其适用于高压直流和交流电路。
  • 连续漏极电流 (Id):在 25°C 时的最大连续漏极电流为 5.4A,意味着在稳定的环境下可以安全工作,适合各类负载。
  • 驱动电压 (Vgs):为 10V,能够提供最佳的开关性能,同时 Vgs 的最大值为 ±20V,增加了电路的设计灵活性。
  • 导通电阻 (Rds On):在 Id 为 3.2A 和 Vgs 为 10V 时,最大导通电阻为 2Ω,确保了在导通状态下低能量损耗与高效率。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)):最大阈值电压为 4V,适合于大多数控制电路的驱动需求。
  • 栅极电荷 (Qg):最大栅极电荷为 130nC,在 Vgs 为 10V 的条件下,有助于提高开关速度和驱动效率。
  • 输入电容 (Ciss):在 Vds 为 25V 时,最大输入电容为 1900pF,具有较快的响应时间。
  • 功率耗散 (Pd):最大功耗为 150W,这使得该器件稳定性良好,在高功率应用中能有效散热。
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C,能够在严苛的环境条件下安全工作,显著提升设备的稳定性和寿命。

应用领域

IRFPE40PBF 的应用范围极为广泛,主要包括但不限于:

  • 电力转换器:在 DC-DC 转换器、PFC(功率因数校正)电路中,提供高效率的开关控制。
  • 电机驱动:用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机等,适合变频驱动系统。
  • 家电设备:在大型电器(如空调、冰箱等)中的功率管理电路中应用。
  • 可再生能源系统:用于太阳能逆变器及风能控制系统,支持高电压操作。
  • 高压开关和继电器:在高电压开关控制电路中作为高性能开关元件。

散热性能与封装

TO-247-3 封装的设计确保了极佳的散热性能。这种封装结构的面积较大,可以更有效地将热量散发到周围环境中,从而提高器件的可靠性。此外,通孔安装的方式使得其在高功率应用中具有更好的紧固性和热管理性能。

结论

IRFPE40PBF 作为一款高性能 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性、广泛的应用性和出色的散热能力,能够满足现代高压、电流密集型电子设备的需要。该器件的设计使其在性能和效率之间达到了良好的平衡,非常适合于要求严苛的工业环境和电气项目。选择 IRFPE40PBF,您将获得可靠的高效能解决方案,推动您的电子项目走向成功。