类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 3.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,3.2A |
功率(Pd) | 150W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 130nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.9nF@0V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 280pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFPE40PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由知名电子元件制造商 VISHAY(威世)生产,广泛应用于高压和高功率电子电路中。它的设计旨在满足现代工业应用对能效、散热性能及可靠性的严苛要求。该器件的封装类型为 TO-247-3,适合用于需要通孔安装的场合,便于散热和提升电流承载能力。
IRFPE40PBF 的关键电气参数如下:
IRFPE40PBF 的应用范围极为广泛,主要包括但不限于:
TO-247-3 封装的设计确保了极佳的散热性能。这种封装结构的面积较大,可以更有效地将热量散发到周围环境中,从而提高器件的可靠性。此外,通孔安装的方式使得其在高功率应用中具有更好的紧固性和热管理性能。
IRFPE40PBF 作为一款高性能 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性、广泛的应用性和出色的散热能力,能够满足现代高压、电流密集型电子设备的需要。该器件的设计使其在性能和效率之间达到了良好的平衡,非常适合于要求严苛的工业环境和电气项目。选择 IRFPE40PBF,您将获得可靠的高效能解决方案,推动您的电子项目走向成功。