类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,31A |
功率(Pd) | 150W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 67nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.9nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 170pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFZ44PBF 是VISHAY(威世)公司推出的一款高效能N通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),其设计用于具有高电流和高电压需求的电力电子应用。这款器件拥有高达150W(Tc)的功率耗散能力,漏源电压(Vdss)可达60V,以及在25°C时可持续承载的漏极电流(Id)高达50A,使其非常适合用于电源管理、电动机驱动和其他需要高效率开关的场合。
IRFZ44PBF的优越性能使其在多个领域广泛应用。主要应用场景包括:
IRFZ44PBF采用TO-220AB封装,这种封装形式不仅便于散热,还能有效降低接触电阻,保证电气连接的可靠性。其通孔安装方式也使得在PCB布局中更易于集成,并在各种电子电路设计中表现出灵活性。
总体而言,IRFZ44PBF是一款兼具高效率和高可靠性的N通道MOSFET,适用于多种高电流和高电压应用场景。无论是在电源管理、电动机控制还是信号放大的应用中,IRFZ44PBF均展示出其卓越的性能,成为工程师和设计师在选择MOSFET时的优先考虑对象。选择IRFZ44PBF将有效提升系统的性能及应用的灵活性,推动电子设备的高效运作。