IRFZ44PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFZ44PBF

商品编码: BM0000053731
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
ITO-220AB-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 150W 60V 50A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.71
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.71
--
1000+
¥4.52
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFZ44PBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,31A
功率(Pd)150W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)67nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.9nF
反向传输电容(Crss@Vds)170pF@25V工作温度-55℃~+175℃

IRFZ44PBF手册

IRFZ44PBF概述

产品概述:IRFZ44PBF N通道MOSFET

一、基本信息

IRFZ44PBF 是VISHAY(威世)公司推出的一款高效能N通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),其设计用于具有高电流和高电压需求的电力电子应用。这款器件拥有高达150W(Tc)的功率耗散能力,漏源电压(Vdss)可达60V,以及在25°C时可持续承载的漏极电流(Id)高达50A,使其非常适合用于电源管理、电动机驱动和其他需要高效率开关的场合。

二、技术规格

  • FET类型:N通道MOSFET
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):50A(Tc)
  • 驱动电压(最大Rds On,最小Rds On):10V
  • 导通电阻(Rds On):在31A、10V时,最大导通电阻为28毫欧
  • 阈值电压(Vgs(th)):在250µA时,最大阈值电压为4V
  • 栅极电荷(Qg):在10V时,最大栅极电荷为67nC
  • 栅极-源极电压(Vgs):最大值为±20V
  • 输入电容(Ciss):在25V时最大值为1900pF
  • 功率耗散:最大值为150W(Tc)
  • 工作温度范围:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 封装类型:TO-220AB

三、应用场景

IRFZ44PBF的优越性能使其在多个领域广泛应用。主要应用场景包括:

  1. 电源开关:适用于DC-DC转换器、高频电源等场合,能有效提升转化效率。
  2. 电动机驱动:由于其能够承受高电流,IRFZ44PBF广泛用于电机控制,能够在工业自动化和机器人等领域提供强有力的驱动能力。
  3. 转换电路:理想用于各类电源供电系统,特别是在需要快速开关和高频操作的环境中表现出色。
  4. 功率放大器:在音频放大器及RF功率放大器中,能够提供良好的线性度和低失真特性。

四、性能优势

  • 低导通电阻:IRFZ44PBF低导通电阻(Rds On)使得在持续高电流操作时,功耗减少,提高了整体效率。
  • 广泛的工作温度范围:其可工作的温度范围从极低的-55°C到高达175°C,适应于严苛环境,确保可靠性和稳定性。
  • 高功率处理能力:150W的功率耗散能力,使得该MOSFET能够在高功率应用中保持高效。

五、可靠性与封装

IRFZ44PBF采用TO-220AB封装,这种封装形式不仅便于散热,还能有效降低接触电阻,保证电气连接的可靠性。其通孔安装方式也使得在PCB布局中更易于集成,并在各种电子电路设计中表现出灵活性。

六、总结

总体而言,IRFZ44PBF是一款兼具高效率和高可靠性的N通道MOSFET,适用于多种高电流和高电压应用场景。无论是在电源管理、电动机控制还是信号放大的应用中,IRFZ44PBF均展示出其卓越的性能,成为工程师和设计师在选择MOSFET时的优先考虑对象。选择IRFZ44PBF将有效提升系统的性能及应用的灵活性,推动电子设备的高效运作。