STP10NK80Z 产品概述
一、产品简介
STP10NK80Z 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),其设计旨在满足高电压和高电流应用的需求。此器件具有最大漏源电压(Vdss)800V 和连续漏极电流(Id)9A,因此它非常适合用于开关电源、逆变器、电机驱动、以及其他高压高功率电子电路中。
二、主要技术参数
- 漏源电压(Vdss): 该 MOSFET 支持高达 800V 的漏源电压,使其能够在高压环境中可靠工作。
- 连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,其最大连续漏极电流可达 9A,提供了良好的电流处理能力。
- 导通电阻(Rds On): 在 Vgs 为 10V、Id 为 4.5A 时,最大导通电阻为 900 毫欧,这显著降低了功率损耗,提高了整体效率。
- 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大阈值电压为 4.5V ( @ 100µA),使其在给定电压下提供快速的开关响应。
- 栅极电荷(Qg): 在 Vgs 为 10V 时的最大栅极电荷为 72nC,这对于高频开关应用非常适合,因为较小的栅极电荷有助于减少开关延迟。
- 输入电容(Ciss): 该器件在 25V 下的输入电容为 2180pF,影响开关速度和驱动能力。
- 功率耗散: 最大功率耗散能够达到 190W(在热栅源接触温度 Tc 下),使其能在高功率条件下稳健工作。
- 工作温度范围: STP10NK80Z 能够在 -55°C ~ 150°C 的广泛温度范围内操作,适用于极端环境条件。
三、物理特性
- 封装类型: 本器件采用 TO-220AB 封装,这种封装形式提供了良好的散热性能和机械强度,适合于要求较高的应用领域。
- 安装方式: 通孔安装设计使其容易集成到各种电路板上,支持提供稳定的电气连接。
四、适用场合
STP10NK80Z 适用于多个领域,主要应用包括:
- 开关电源: 由于其高电压和电流处理能力,适用于电源转换中作为开关元件。
- 电机驱动: 在电动机控制和变频驱动场合中,由于其快速开关和高效率的特性,广泛用于各类电机的驱动。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和其他能源转换器中,能有效转换和控制大功率流。
- 高压直流应用: 特别是在电力电子和高压电源系统中,能够安全高效地操作。
五、总结
STP10NK80Z 是一款强大的 N 通道 MOSFET,以其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和优良的散热特性,在高压高功率电路中提供了优秀的解决方案。无论用于开关电源、电机驱动还是逆变器,该器件都表现出色,为开发高效且可靠的电子设计提供了理想的选择。随着技术的进步,STP10NK80Z 将继续在各个电子应用领域发挥重要作用,推动产品的持续创新与发展。