STP20N95K5

产品概述：STP20N95K5 N沟道MOSFET

STP20N95K5 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件以其卓越的电气特性和广泛的应用场景而受到电子工程师和设计师的青睐。其设计目标是满足高电压和高功率需求的电子设备，为现代电力电子、开关电源和工业控制等领域提供可靠的解决方案。

主要参数

STP20N95K5 的主要电气参数使其在高压环境下的应用成为可能：

• 漏源电压（Vdss）：该器件的漏源电压高达 950V，确保了在高电压应用中优异的耐受能力，非常适合用于高级开关电源和逆变器。
• 持续漏极电流（Id）：在 25°C 时，STP20N95K5 能提供高达 17.5A 的持续漏极电流，这使得该元器件在多种负载条件下稳定运行。
• 电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻（Rds(on)）为 330毫欧 @ 9A，确保了有效的能量传输并减少了开关损耗。
• 驱动电压（Vgs）：具备最大门极-源极驱动电压为 ±30V，确保在各种驱动条件下可靠工作。

温度与功率特性

STP20N95K5 还展现出优异的热管理能力：

• 功率耗散（Pd）：最大功率耗散能力为 250W（Tc），这使其能够在高负载条件下高效运行，而不易过热。
• 工作温度范围：其工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适用于极端环境下的应用。

其他电气特性

• 栅极电荷（Qg）：对于 Vgs = 10V 的条件下，栅极电荷最大值为 40nC，表示低栅极驱动功耗，适合快速开关应用。
• 输入电容（Ciss）：在 100V 时的输入电容最大值为 1500pF，表明该器件具备良好的高频特性，非常适合用于 RF 放大器和开关电源等需要快速响应的应用。
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为 5V @ 100µA，提供了对 MOSFET 开关行为的良好控制。

封装与安装

STP20N95K5 采用封装形式为 TO-220-3，这种通孔安装的封装设计不仅便于电路板安装，还有效散热。在多数应用中，TO-220 封装因其优良的散热能力和较大的安装面积而广受青睐。

应用领域

凭借其优异的电气和热性能，STP20N95K5 适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 直流-直流转换器
• 电机驱动和控制系统
• 工业自动化设备
• 可再生能源系统（如太阳能逆变器）
• 客户定制的电源管理解决方案

结论

总之，STP20N95K5 是一款功能全面、性能卓越的 N 沟道 MOSFET，其高电压、高电流能力使其能够在各种苛刻条件下稳定工作。无论是用于高效电源转换、工业驱动，还是其他需要高功率处理的应用，这款 MOSFET 都能提供可靠的解决方案。其广泛的工作温度范围、低导通电阻和优秀的热性能，使其成为设计工程师的首选元件之一，实现高效的能量管理与系统设计。