类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 900V |
连续漏极电流(Id) | 1.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@10V,1.0A |
功率(Pd) | 54W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 490pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 18pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:IRFBF20PBF
一、产品简介
IRFBF20PBF 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的 N 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),专为高效率、高可靠性和高功率应用而设计。其主要特性包括:能承受高达 900V 的漏源电压,连续漏极电流可达 1.7A,功率耗散能力为 54W,因此适用于需要对温度和电压承受能力有较高要求的各种电子电路。
二、主要参数
三、功能特点
IRFBF20PBF 的设计考虑了许多功能和性能方面的需求:
高电压和高电流承受能力:该器件适合于高电压应用,900V 的漏源电压使其能够轻松应对高压电路。而其1.7A的漏极电流表示其在实际应用中可以处理相当大的功率。
低导通电阻:在1A和10V的工作条件下,最大导通电阻仅8Ω,意味着在导通状态下能量损耗较小,有效提高系统的工作效率。
广泛的工作温度范围:能够在-55°C至150°C的范围内正常工作,IRFBF20PBF 利用其优秀的热稳定性和可靠性,在各种极端环境下均能平稳运行。
适合高频应用:低输入电容(Ciss)和较小的栅极电荷(Qg)使该MOSFET能够有效避免高频应用中的信号衰减,提高开关频率性能,适合开关电源等应用领域。
四、应用场景
IRFBF20PBF 的性能适合多种应用,包括但不限于以下几个领域:
五、封装与安装
IRFBF20PBF 采用 TO-220AB 封装,便于通孔安装,适合在紧凑的PCB设计中使用。这种封装类型不仅提高了散热性能,还有助于简化与其他组件的电气连接。
六、总结
IRFBF20PBF 是一款高性能的N通道MOSFET,凭借其900V的漏源电压、低导通电阻、适合高温工作环境、以及良好的电流承受能力,成为许多电子设计工程师的可靠选择。它在开关电源、电机驱动和汽车电子等多个领域均有广泛应用,是高效功率管理系统的重要组成部分。通过采用 IRFBF20PBF,设计师可以大幅提升系统的效率和稳定性,满足现代高性能电子设备的需求。