类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 10A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@10V,9.6A |
功率(Pd) | 280W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 120nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.5nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 39pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFPC60LCPBF是VISHAY公司生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),具有出色的电气特性和强大的功率处理能力。该组件专为高压应用设计,漏源电压(Vds)高达600V,能够承受高电流(Id)连续工作,最大可达16A,适用于各种电子电路和电源管理模块。
漏源电压(Vdss):600V
连续漏极电流(Id):16A(在Tc条件下)
驱动电压:10V
导通电阻(Rds On):最大值400毫欧 @ 9.6A,10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):最大4V @ 250µA
栅极电荷(Qg):最大120nC @ 10V
输入电容(Ciss):最大3500pF @ 25V
功率耗散(最大值):280W(在Tc条件下)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)
封装类型:TO-247-3
IRFPC60LCPBF N通道MOSFET非常适合用于:
由于其低导通电阻和高耐压能力,IRFPC60LCPBF在减少能量损耗和增强系统效率方面表现出色。此外,其高功率耗散能力和广泛的工作温度范围,使其特别适合用于需要高可靠性和稳定性的工业应用。
总之,IRFPC60LCPBF兼具高功率处理能力、低导通损耗和良好的热管理特性,使其成为许多高压应用的理想选择。随着越来越多高效能电子设备的普及,VISHAY的IRFPC60LCPBF可广泛适用于多种现代电子设计方案,确保设备性能优化与能效提升。无论是用于工业、汽车,还是消费电子领域,该MOSFET产品均可满足设计师对功率开关器件的各种要求。