类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 1.5kV |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9Ω@10V,1.3A |
功率(Pd) | 140W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 29.3nC@010V | 输入电容(Ciss@Vds) | 939pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 13.2pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: STP3N150
器件类型: N 通道 MOSFET
封装类型: TO-220AB
供应商: 意法半导体 (STMicroelectronics)
STP3N150 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,广泛应用于高压和高电流的电子系统中,特别是在功率转换、开关电源、电机驱动以及各类工业控制应用中。该器件结合了高电压承受能力和较高的功率处理能力,能够满足多个行业领域的需求。
STP3N150 的高电压和电流特性使其成为多种工业和商用应用的理想选择:
STP3N150 采用 TO-220AB 封装,这种封装类型使得器件热传导良好,便于散热,适合高功率应用场景。通孔安装可以方便与电路板连接,加快装配效率。
STP3N150 是一款兼具高耐压、优良热性能和适合广泛应用的 N 通道 MOSFET。无论是在工业自动化领域、电源管理还是电机驱动,它都能提供卓越的性能。意法半导体凭借其强大的技术实力和丰富的行业经验,推出了这款高性能的 MOSFET,以满足多元化的市场需求。针对高压、高功率应用的需要,STP3N150 是您值得信赖的选择。