类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 8.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@10V,8.4A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 64nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.038nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、基本介绍
IRFP450APBF是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),该器件由知名制造商VISHAY(威世)出品,具有优异的导电特性,非常适用于高压开关、电源管理和其他高效能应用。该MOSFET的设计和制造在现代电子产品中广泛应用,特别是在电力电子、电动汽车和可再生能源等领域。
二、产品规格
IRFP450APBF具有如下核心参数:
此外,IRFP450APBF还提供了出色的栅极电荷特性,最大栅极电荷(Qg)为64nC,便于设计者优化驱动电路,降低开关损耗。
三、工作环境和封装
此MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C,使其适应各种严苛环境。IRFP450APBF采用TO-247-3封装,设计为通孔安装方式,便于PCB布局,提供了良好的散热性能,适合大功率应用。
四、应用领域
IRFP450APBF广泛应用于以下几个领域:
五、优势与特点
IRFP450APBF相比于传统元器件拥有更高的工作电压和更大的电流承载能力,尤其适合高效能和高频应用。导通电阻低,能够有效降低开关损耗,从而提高系统整体的能效。此外,其高温工作范围使其在各种极端环境下可靠运行,确保了最终产品的稳定性和安全性。
六、总结
综上所述,IRFP450APBF是一款功能强大的N通道MOSFET,凭借其高压、大电流、低导通电阻的特性,适合于多种高效能工业和消费电子应用。其优秀的热管理特性和广泛的工作环境适应性使它成为现代电子设计中不可或缺的重要元件之一。无论是电源管理、电动汽车应用,还是工业自动化,IRFP450APBF都能为设计者提供高效、稳定的解决方案。