类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 790mΩ@10V,2.5A |
功率(Pd) | 20W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.3nC@520V | 输入电容(Ciss@Vds) | 310pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.9pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STFU9N65M2 产品概述
STFU9N65M2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),旨在满足高压、高效能电子应用的需求。该器件的基本参数和特性设计使其在工业、汽车和消费电子等多个领域具备广泛应用前景。以下是对 STFU9N65M2 的详细概述,包括其技术规格、应用场景及设计考虑因素。
FET 类型:N 通道
技术类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
额定参数:
栅极电压和参数:
输入电容 Ciss:最大 315pF @ 100V
功率耗散:最大 20W(Tc)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220FP
STFU9N65M2 的设计和特性使其在多个应用场景中十分理想,例如:
在设计应用 STFU9N65M2 时,工程师需要考虑的关键因素包括:
综上所述,STFU9N65M2 是一款具有高性能、高可靠性的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和宽广的工作范围,适用于多种现代电子设备和系统。随着工业、汽车及消费市场对高效率和可靠性的需求日益增加,这款 MOSFET 无疑将是设计工程师的优选器件。