类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 375mΩ@10V,7A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 32nC@640V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.5pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STW15N80K5是一款高性能N沟道MOSFET,适用于高压及高电流应用领域。其主要特点包括额定漏源电压达800V,能够连续承载的漏极电流14A,以及在25°C环境温度下的低导通电阻。这种MOSFET非常适合用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他需要高效率和高可靠性的电子设备中。
STW15N80K5适用于多种应用场景,包括:
STW15N80K5是一款在高压和高电流应用中表现卓越的N沟道MOSFET,凭借其800V的漏源电压、14A的连续电流能力及出色的热管理性能,成为电源转换和电机驱动等领域的首选器件。无论是在开关电源、逆变器还是其他需要高效率的应用中,它的强大性能和可靠性均能够满足现代电子设计日益增长的需求。借助意法半导体的技术积累和创新,该产品为工程师提供了一个高质量的解决方案,有助于推动各类电子设备的智能化和高效化发展。