集射极击穿电压(Vces) | 600V | 集电极电流(Ic) | 60A |
功率(Pd) | 200W | 导通损耗(Eon) | 0.22mJ |
关断损耗(Eoff) | 0.33mJ | 反向恢复时间(Trr) | 44ns |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STGW20NC60VD 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其主要应用于各种功率电子设备中,特别是在高电压和大电流条件下的开关和变换设备。该器件具有额定电压600V和最大集电极电流60A的特性,适用于电源变换器、逆变器及其他相关应用。
STGW20NC60VD 的关键参数包括:
STGW20NC60VD 的设计使其在各种条件下都能维持卓越的性能。其最大功率为200W,适合在多个功率频段的应用。器件的开关速度稳定,开关延迟(Td)在25°C下为31ns(打开)和100ns(关闭),有效提升了整个电路的响应速度。
与此同时,该IGBT的反向恢复时间为44ns,使其能够在高频操作时有效避免反向恢复损耗,进一步增强了开关效率。
STGW20NC60VD 适用于多个领域:
STGW20NC60VD 采用TO-247-3封装,具有良好的散热性能,支持通过通孔安装。该封装方式简化了与其他电路组件的连接,同时也确保了器件在应用中的良好散热效率。
STGW20NC60VD 作为一款高电压、高电流的IGBT器件,其设计充分考虑了现代功率电子应用的需求,具备了优越的性能与多样的应用场景。通过在电源转换、电机驱动及可再生能源领域的广泛应用,这款IGBT器件可以帮助工程师们实现更高效、更可靠的功率电子解决方案。
总之,STGW20NC60VD 无疑是当前市场上值得信赖的IGBT产品之一,它以其优异的性能和可靠性,为各类电子设备提供了强有力的支持。无论是在常规的电源管理还是在新兴的清洁能源产业,这款器件都展现出了其不凡的适应能力和应用潜力。