IRFD420PBF
IRFD420PBF参数
| 漏源电压(Vdss) | 500V | 连续漏极电流(Id) | 370mA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V,0.22A | 功率(Pd) | 1W |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 360pF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 37pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFD420PBF手册
IRFD420PBF概述
IRFD420PBF 产品概述
产品简介
IRFD420PBF 是VISHAY（威世）推出的一款高性能N通道MOSFET，主要用于高电压、高效能的电子应用。这款二极管设计用于能够承受高达500V的漏源电压，并可处理连续漏极电流达370mA（在25°C环境温度下），使其成为现代电源管理、电机控制和开关电源等应用的理想选择。IRFD420PBF的运行温度范围广泛，能够在-55°C到150°C间稳定工作，确保其在严酷环境下的可靠性。
技术参数
FET 类型：这是一款N通道MOSFET（增强型场效应晶体管），采用金属氧化物半导体技术，具有良好的开关性能和高效率，尤其适用于高电压应用。
漏源电压 (Vdss)：IRFD420PBF支持高达500V的漏源电压，适合在高电压环境中使用。
连续漏极电流 (Id)：在25°C环境下，设备可以持续承受370mA的漏极电流，适合在较高负载下保持稳定工作。
驱动电压：该器件在10V的驱动电压下达到最小导通电阻，确保快速的开关响应和较低的能量损耗。最大导通电阻 (Rds On) 为3Ω @ 220mA，10V，提供优良的导通性能。
栅极电荷 (Qg)：该MOSFET的栅极电荷为24nC @ 10V，代表了在开关操作中所需的输入驱动能力，能够降低驱动电路的负担。
Vgs(th)：阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250µA，显示器件良好的开启特性。此外，Vgs的最大值为±20V，确保了在驱动过程中不会损坏器件。
输入电容 (Ciss)：在25V下，最大输入电容为360pF，这保证了快速开关和良好的高频性能。
功率耗散：IRFD420PBF的最大功率耗散为1W，表明其适合在低功耗应用中使用，同时具有较小的热管理要求。
工作温度：该器件能够在-55°C至150°C的环境下工作，使其适用于各种苛刻的工作条件。
封装类型：IRFD420PBF采用通孔封装（DIP-4），便于安装与散热，适合多数通用型PCB设计。
应用领域
鉴于其强大的技术参数，IRFD420PBF在多个领域均表现出优越的适应性。以下是几个主要的应用场合：
电源管理：在开关电源、DC-DC转换器等电源管理电路中，该MOSFET能够高效地进行能量转换。
电机控制：用于电动机驱动电路，确保高效的电机控制和驱动响应。
负载开关：可用于各种负载切换应用，提供高电压切换能力和调节灵活性。
LED驱动：在LED驱动电路中，该器件也能提供稳定的电流控制，适应高电压LED照明需求。
高频开关：在高频开关电路中，由于其较低的导通电阻和快速的开关时间，该器件能够有效减小开关损耗。
总结
IRFD420PBF是一款性能卓越的N通道MOSFET，结合其高耐压、低导通电阻和广泛的工作温度范围，确保了其在多种应用中的灵活性与高效能。随着高压应用需求的增加，VISHAY的这款产品无疑会在未来的市场竞争中继续占据重要地位。无论是在电源转换、电机控制还是LED驱动应用中，IRFD420PBF都是值得信赖的组件，提供了性能与可靠性的最佳平衡。