类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 790mΩ@10V,2.5A |
功率(Pd) | 20W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@400V | 输入电容(Ciss@Vds) | 364pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.2pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STF8NM50N 是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。其主要特点包括高漏源电压(Vdss)500V、连续漏极电流(Id)5A、以及出色的热管理能力(最大功率耗散可达20W)。该型号MOSFET适用于各种高压高电流的应用场景,如开关电源、DC-DC转换器、以及电机驱动等。
STF8NM50N 因其优越的电气特性和温度适应范围,被广泛应用于:
STF8NM50N 的主要性能优势在于其低导通电阻和高漏源电压,使其在多种应用中具备较低的功耗和高效率。此外,其宽广的工作温度范围和强劲的散热能力,保证了在长时间负载运行后的稳定性。整合Q1/Q2爬升时间及电容特性,STF8NM50N在高频切换环境中同样表现出色,降低了切换损耗。
为确保STF8NM50N元件在高电流下的安全和可靠性,建议搭配适当的散热器使用。TO-220FP封装允许用户快速且方便地安装,并用适当的散热解决方案来降低设备在工作过程中的热量积聚,从而维持高效运行和延长使用寿命。
STF8NM50N N通道MOSFET 以其出色的电气性能、优越的温度适应能力和广泛的应用范围,成为各类高压高电流电路设计中的理想选择。无论是电源管理、电机控制,还是高频开关应用,STF8NM50N 都能够提供卓越的性能和可靠的解决方案,是电子设计工程师不可或缺的核心元器件之一。