类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@10V,5A |
功率(Pd) | 147W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 526pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 9pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF740BPBF 是威世(VISHAY)公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其额定漏源电压为 400V,连续漏极电流为 10A。该器件采用 TO-220AB 封装,具有良好的热管理特性,使其适用于各种电源和功率管理应用。
IRF740BPBF 可以广泛应用于多种高压和高功率电子电路中,包括:
IRF740BPBF 采用 MOSFET 技术,使其具有非常低的导通电阻和高开关速度,极大地提升了电路的整体效率。具体来说:
IRF740BPBF 使用 TO-220AB 封装设计,具备良好的散热特性。通孔安装使得该元件能够有效地散发热量,适合需要长期、连续运行的应用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,使您能够在严苛环境下依然保证器件的稳定性。
IRF740BPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和广泛的应用范围,成为电子工程师和设计师在设计高压、高功率电路时的理想选择。无论是在电源管理、马达驱动还是焊接设备,IRF740BPBF 都能提供可靠的性能和出色的效率,是现代电子设计中不可或缺的元件。