IRF740BPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF740BPBF

商品编码: BM0000068263
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.68g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 147W 400V 10A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.18
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.18
--
1000+
¥3.04
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF740BPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)600mΩ@10V,5A
功率(Pd)147W阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V输入电容(Ciss@Vds)526pF
反向传输电容(Crss@Vds)9pF工作温度-55℃~+150℃

IRF740BPBF手册

IRF740BPBF概述

产品概述: IRF740BPBF

概述

IRF740BPBF 是威世(VISHAY)公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其额定漏源电压为 400V,连续漏极电流为 10A。该器件采用 TO-220AB 封装,具有良好的热管理特性,使其适用于各种电源和功率管理应用。

主要参数

  • 漏源电压 (Vdss): 400V
  • 连续漏极电流 (Id): 10A(在 Tc = 25°C 时)
  • 最大导通电阻 (Rds(on)): 600 mΩ (在 Id = 5A, Vgs = 10V 时)
  • 栅源电压 (Vgs): ±30V(最大值)
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 5V (在 Id = 250µA 时)
  • 栅极电荷 (Qg): 30nC (在 Vgs = 10V 时)
  • 输入电容 (Ciss): 526pF (在 Vds = 100V 时)
  • 功率耗散 (Pd): 147W(在 Tc 环境下)
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 封装类型: TO-220-3

应用场景

IRF740BPBF 可以广泛应用于多种高压和高功率电子电路中,包括:

  • 电源转换器: 常用于开关电源、逆变器和降压变换器,提供高效的电压转换。
  • 电机驱动: 在电动机控制中,IRF740BPBF 可以作为开关元件,确保电机获得稳定的电流。
  • 焊接和电弧设备: 由于其高电流承载能力,适合用于焊接机等设备。
  • 高频功率放大器: 用于 RF 设备和其他高频应用,提升系统性能。

电气特性分析

IRF740BPBF 采用 MOSFET 技术,使其具有非常低的导通电阻和高开关速度,极大地提升了电路的整体效率。具体来说:

  • 低导通电阻: 在 Id = 5A 时达到 600 mΩ 的导通电阻,显著减少了在开关期间的功率损耗。
  • 高阈值电压: 最大值为 5V 的 Vgs(th) 使得在较低的驱动电压下也能可靠开启,方便与微控制器和其他逻辑电平电路进行接口。
  • 良好的散热性: 最大功率耗散为 147W,使其能够在高温环境下稳定工作。

热特性与封装

IRF740BPBF 使用 TO-220AB 封装设计,具备良好的散热特性。通孔安装使得该元件能够有效地散发热量,适合需要长期、连续运行的应用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,使您能够在严苛环境下依然保证器件的稳定性。

总结

IRF740BPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和广泛的应用范围,成为电子工程师和设计师在设计高压、高功率电路时的理想选择。无论是在电源管理、马达驱动还是焊接设备,IRF740BPBF 都能提供可靠的性能和出色的效率,是现代电子设计中不可或缺的元件。