类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 6.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@3.7A,10V |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 42nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.036nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
IRFBC40APBF 是一款由 Vishay Siliconix 生产的高性能 N 通道 MOSFET,广泛应用于功率转换、电源管理、马达驱动和其他高电压高电流的电力电子应用。该器件的设计旨在提供优异的导通特性和热性能,确保在各种工作条件下的高效运行。
IRFBC40APBF 适用于多种电子应用,包括但不限于:
IRFBC40APBF 采用 TO-220AB 封装,支持通孔安装,方便在各种电路板设计中使用。该封装提供较大的接触面积,有助于有效散热,确保 MOSFET 在高功率应用中的正常运行。
综上所述,IRFBC40APBF 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET,凭借其高漏源电压、高电流输出、低导通电阻及良好的热稳定性,非常适合在要求高效能的电力电子领域应用。此型号为电子工程师与设计师提供了一种可靠的解决方案,无论是在电源管理、马达驱动还是复杂的电力转换应用都能发挥重要作用。