类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 45A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,22.5A |
功率(Pd) | 390W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 113nC@400V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.29nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 140pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STW45NM50是一款高性能的N沟道MOSFET,具有优越的电气特性和热管理能力,特别适用于高电压和高电流的应用场合。其最大漏源电压为500V、连续漏极电流为45A,使其成为电源管理、逆变器、开关电源和其他高功率应用的理想选择。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,采用TO-247-3封装,在散热和安装方面具有很大的优越性。
STW45NM50的这些参数确保了其能够可靠地在极端条件下工作,同时也为设计师提供了更大的灵活性以满足各种电路和系统的需求。
STW45NM50具有广泛的应用领域,主要包括但不限于以下几个方面:
STW45NM50是一款设计精良、性能卓越的N沟道MOSFET,适用于需要高电压和高电流的各种应用。其低导通电阻、高功率耗散能力以及广泛的工作温度范围,使其成为电源管理、逆变器和电动汽车等领域的理想选择。随着市场对高效能电子元件需求的不断增长,STW45NM50将继续在高功率应用中发挥其独特的优势。