IRFD9024PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFD9024PBF

商品编码: BM0000068271
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
HVMDIP-4
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 1.3W; DIP4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.07
按整 :
管(1管有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.07
--
2500+
¥2.94
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFD9024PBF参数

漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)280mΩ@10V,0.96A功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)570pF@25V反向传输电容(Crss@Vds)65pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

IRFD9024PBF手册

IRFD9024PBF概述

产品概述:IRFD9024PBF

产品概述

IRFD9024PBF是一款高性能的P通道MOSFET,专门设计用于高压和高电流应用。其漏源电压(Vdss)可承受高达60V,连续漏极电流(Id)最高为1.6A,非常适合用于功率管理、开关电源和电机驱动等场合。

主要特性

  1. 高压能力:IRFD9024PBF的最大漏源电压(Vdss)为60V,能够在各种严格的电压条件下稳定工作,适用于多个行业的应用,包括汽车、工业控制和消费电子。

  2. 低导通电阻:在较高的栅极驱动电压(Vgs)下,IRFD9024PBF表现出优异的导通电阻特性。在10V的驱动电压下,导通电阻(Rds On)的最大值为280毫欧,尤其适合需要高效电流传输的应用。

  3. 宽工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55°C至175°C,极大提升了其在严酷环境下的适应能力,确保长期稳定的性能。

  4. 适用的驱动电压:IRFD9024PBF的最大栅-源电压(Vgs)为±20V,能够适应多种驱动方案,同时在不同的漏极电流(Id)和栅极电压(Vgs)条件下,保持相对稳定的阈值电压(Vgs(th)),最大值为4V @ 250µA,有助于简化驱动电路设计。

  5. 小型封装:该MOSFET采用4-DIP(双列直插封装)封装,具有良好的散热特性及易于安装的优点,适合各种电路板设计及生产线组装。

  6. 优良的输入电容特性:最大输入电容(Ciss)为570pF @ 25V,确保在快速开关操作时,能够实现高效能和更快的响应。

  7. 低栅极电荷:IRFD9024PBF的栅极电荷(Qg)最大值为19nC @ 10V,意味着在开关操作中,有效降低了驱动功耗,提高了整体电路效率。

应用领域

IRFD9024PBF因其独特的特性,广泛应用于多个领域,如:

  • 电源管理:在开关电源和线性稳压电源中用于高效率的电源转换,减少功耗。
  • 电机驱动:适合用于直流电机及步进电机的控制电路中,能够进行高效的开关操作,提高电机的工作效率和响应速度。
  • 自动化控制:在工业设备和自动化系统中,用于开关控制、负载切换等场合,提升系统的稳定性和可控性。

总结

IRFD9024PBF是一款集高电压承受能力、低导通电阻、宽工作温度范围于一身的P通道MOSFET,特别适合为需要高效能与高稳定性的应用。无论是在电源管理、汽车电子还是工业控制领域,该产品都能为设计者提供卓越的性能和灵活的设计选择,使之成为电子设计中的理想选择。选择IRFD9024PBF,将为您的产品赋予更高的可靠性和性能。