晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 450V | 功率(Pd) | 20W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 50@50mA,5V | 特征频率(fT) | 20MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 800mV@0.1A,0.01A |
工作温度 | -40℃~+150℃ |
BUXD87T4 是一款高性能 NPN 型晶体管,由全球知名的半导体厂商意法半导体(STMicroelectronics)研发和生产。该晶体管专为需要高电压和高电流处理的应用场合而设计,其最大集电极电流(Ic)可达500mA,集射极击穿电压(Vce)最大值达到450V,适合在高压环境下稳定工作。
电流与电压规格: BUXD87T4 提供的最大集电极电流为500mA,足以应对大多数低功率电子产品的输出需求。同时,其450V的高集射极击穿电压使其能够有效抵抗电气干扰和瞬态过压,为应用提供额外的安全边界。
饱和压降: 在特定条件下,BUXD87T4 表现出了优越的饱和压降特性,最大 Vce 饱和压降为1V(在20mA和200mA的Ib、Ic条件下),这意味着在从导通状态转换到截止状态时,可以获得高效率的工作表现,减少能量损耗。
DC 电流增益: 该产品具有高达12的直流电流增益(hFE),在40mA的情况下,这使得它在放大应用中具有良好的性能。高增益特性使其在音频放大、信号放大等多个领域得以广泛应用。
功率处理能力: BUXD87T4 的最大功率额定为20W,这为设计师在高功率应用中提供了极大的灵活性。该晶体管的设计旨在承受高温和高功率负荷,确保在严苛工作环境下仍能保持良好的性能。
频率响应: 该晶体管的跃迁频率为20MHz,适合高速开关应用。这使其能够在快速开关操作中保持良好的操作特性,非常适合用于脉冲信号和高频信号的处理。
安装和封装: BUXD87T4 采用表面贴装型 TO-252(DPAK)封装,这种封装形式不仅可以降低组件体积,还能提高散热性能,非常适合现代电子产品紧凑设计的需求。
工作温度范围: 该晶体管的工作温度可达150°C(TJ),使得其在高温和严苛环境下运行时依然保持稳定,扩展了其应用领域。
BUXD87T4 NPN 晶体管广泛应用于多个领域,包括:
BUXD87T4 是一款高压高流量的 NPN 晶体管,凭借其卓越的性能和高功率处理能力,成为现代电子系统设计中不可或缺的元件之一。无论是用于高功率放大、开关控制,还是在高温、高压工作环境中,BUXD87T4 都能确保系统稳定和可靠性,为设计师提供了强大的设计支持。选择 BUXD87T4,让您的应用在性能和效率上都得到优秀保障。