接口类型 | I2C | 存储容量 | 16Kbit |
工作电压 | 3V~5.5V | 工作电流 | 90uA |
时钟频率(fc) | 1MHz | 待机电流 | 5uA |
工作温度 | -40℃~+85℃ | 擦写寿命 | 1000000000000次 |
数据保留 - TDR(年) | 200年 |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 是富士通(Fujitsu)推出的一款专业FRAM(铁电体RAM)存储器芯片,具有16Kb(2K x 8)的存储容量。作为一种非易失性存储器,MB85RC16 可以在电源关闭的情况下保留数据,适合广泛的应用场景,如智能卡、嵌入式系统、工业控制和可穿戴设备等。
FRAM(铁电体RAM)技术:
存储器接口:
工作参数:
存储容量和格式:
访问时间:
时钟频率:
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 的设计非常适合多种应用场景,包括但不限于:
工业自动化:
汽车电子:
消费电子:
智能卡和RFID:
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 作为一款高性能非易失性存储器,凭借其快速的存取速度、宽广的工作温度范围和适应性极强的接口设计,成为了现代电子产品设计中不可或缺的元件之一。富士通的技术背书令其产品质量值得信赖,无论在工业、汽车、消费电子还是智能卡等领域中,其寿命和性能的优势都能满足日益增长的市场需求。