IRFR24N15DTRPBF 产品实物图片
IRFR24N15DTRPBF 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFR24N15DTRPBF

商品编码: BM0000081006
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
0.4g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 150V 24A 1个N沟道 DPAK
库存 :
60(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.42
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.42
--
100+
¥2.86
--
1000+
¥2.6
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR24N15DTRPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)24A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)95mΩ@10V,14A
功率(Pd)140W阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)45nC输入电容(Ciss@Vds)890pF
反向传输电容(Crss@Vds)46pF工作温度-55℃~+175℃

IRFR24N15DTRPBF手册

IRFR24N15DTRPBF概述

产品概述:IRFR24N15DTRPBF N通道MOSFET

引言

在现代电子设计中,选择合适的功率开关器件至关重要,尤其是在高压和高电流应用场合。IRFR24N15DTRPBF是一款由知名品牌英飞凌(Infineon)生产的N通道MOSFET,具有出色的电气性能和广泛的工作温度范围。本产品适用于各种应用场合,包括电源管理、DC-DC转换、马达驱动等,是功率电子领域的一项理想选择。

规格参数

IRFR24N15DTRPBF MOSFET具备以下核心参数:

  • FET类型: N通道
  • 技术: 金属氧化物场效应管(MOSFET)
  • 漏源电压(Vdss): 150V,能够在高电压环境下稳定工作
  • 连续漏极电流(Id): 24A,适合大电流需求的应用
  • 驱动电压: 10V下,实现最小的导通电阻(Rds On),保证高效率的运行
  • 导通电阻: 在14A电流和10V驱动下,最大导通电阻仅为95毫欧,降低了功耗和热量产生
  • 门极阈值电压(Vgs(th)): 最大值5V@250µA,适应多种电路设计需要
  • 栅极电荷(Qg): 在10V驱动下,最大值为45nC,降低了驱动开关频率时的功耗
  • 输入电容(Ciss): 890pF@25V,提供较好的频率响应
  • 功率耗散(最大值): 140W,适应高功率负载
  • 工作温度范围: -55°C至175°C,适合严酷环境下的工作
  • 安装类型: 表面贴装型,简化PCB设计和生产过程
  • 封装类型: D-Pak (TO-252-3),提供良好的热性能和可靠性

应用领域

IRFR24N15DTRPBF因其卓越的性能而适用于众多应用,包括:

  1. 电源管理系统: 适用于开关电源、逆变器及其他电源产品中的功率开关。
  2. DC-DC转换器: 在DC-DC转换过程中作为高效率的开关元件,以减少能量损耗。
  3. 电动马达驱动: 在马达控制电路中,作为驱动开关,能有效提供电源和控制功能。
  4. 高温环境应用: 由于其广泛的工作温度范围,该MOSFET可在极端温度条件下稳定工作,适合航空航天、汽车以及工业控制等高温应用。

优势特点

  1. 高效率:其低导通电阻和高温特性使得IRFR24N15DTRPBF在高频率和高负载条件下表现出色,减少了能量损耗,提升了系统的整体效率。
  2. 良好的热性能:D-Pak封装提供优越的散热能力,降低在大电流条件下工作时的温升,延长器件和系统的使用寿命。
  3. 宽广的入阈电压范围和低栅极电荷:使其对驱动电路的要求相对较低,简化了设计流程。

总结

IRFR24N15DTRPBF N通道MOSFET是性能卓越的功率开关解决方案。凭借其150V的高漏源电压、24A的连续漏极电流和多种应用的适应能力,它在现代电子设计中扮演着重要角色。无论是电源管理、DC-DC转换还是电动马达驱动,IRFR24N15DTRPBF都能提供高效、可靠的性能,是功率电子领域不可或缺的重要组件。