FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 46A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9.7 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.3V @ 14µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1075pF @ 30V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),36W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-6 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产品概述:BSC097N06NSATMA1 MOSFET
BSC097N06NSATMA1 是一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),设计用于各种电源管理和开关应用。这款MOSFET由著名电子元器件制造商英飞凌(Infineon)生产,旨在满足高压、高电流及高效率的需求,广泛应用于汽车、工业、消费电子及其他高技术领域。
基本参数和电气特性
BSC097N06NSATMA1 的漏源电压(Vdss)高达 60V,这使得它适合于处理中等电压的应用场景。其能够承载的最大持续漏极电流(Id)为 46A(在 25°C 环境下),保证了在高负载条件下的稳定运行。此外,该MOSFET的最大功率耗散为 2.5W(环境温度,Ta)和 36W(结温,Tc),为设备提供了充足的热管理能力。
导通电阻(Rds(on))是 MOSFET 的关键性能参数之一,BSC097N06NSATMA1 在 10V 偏置电压下达到的最大导通电阻为 9.7 毫欧@ 40A,这表明该器件在开关状态时的能量损失极小,适合用于需要高效率和低热量散发的设计中。
驱动与开启特性
该 MOSFET 的门极偏置电压(Vgs)提供范围从6V到10V,确保在多种驱动条件下均能实现良好导通。同时,Vgs(th) (阈值电压)最大为 3.3V(@ 14μA),这一参数在低压驱动场合尤为重要,能够确保 MOSFET 在较低的控制电压下即可实现导通。
在开关操作中,门极电荷(Qg)的最大值为 15nC@10V。这一低开关电荷有助于提高开关频率,减少驱动电路的负担,从而提高整体系统效率。
电容特性
在使用过程中,MOSFET 的输入电容(Ciss)对于系统的频率响应和开关性能极为重要。BSC097N06NSATMA1 在 30V 时的输入电容最大值为 1075pF,这一参数确保了其在高频率应用中的良好响应能力。
工作环境与封装
BSC097N06NSATMA1 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,意味着它适用于严酷的工作环境,适应汽车及工业应用中的多种温度变化。此外,该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具体型号为 PG-TDSON-8-6,具有良好的潮湿保护和热性能,方便集成进紧凑的电路设计中。
总结
综上所述,BSC097N06NSATMA1 是一款高度可靠且性能优异的 N 通道 MOSFET,其优秀的电气特性、广泛的工作环境适应性和适合现代电路设计的封装形式,使得它成为电源管理、开关电路和高效率驱动应用的理想选择。无论是在汽车电子、工业控制还是消费电子领域,BSC097N06NSATMA1 都将为工程师提供精确、高效的解决方案。