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FCX688BTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FCX688BTARoHS
商品编码:
BM0000177967复制
品牌:
DIODES(美台)复制
封装:
SOT-89复制
包装:
编带复制
重量:
0.212g复制
描述:
三极管(BJT) 2W 12V 3A NPN复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
FCX688BTA参数
属性
参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)12V
耗散功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE)500
特征频率(fT)150MHz
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))40mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN
FCX688BTA手册
FCX688BTA概述

FCX688BTA 产品概述

产品简介

FCX688BTA是一款高性能的NPN型晶体管,专为各类电子应用设计,尤其适合用于开关、放大和信号处理等电路。该产品以其优异的电气特性和宽广的工作温度范围而闻名,能够满足多种工业及消费电子需求。作为美台(DIODES)公司的产品,FCX688BTA在可靠性、稳定性和功耗控制等方面具有显著优势。

主要参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 3A
  • 集射极击穿电压 (VCE, 最大值): 12V
  • 饱和压降 (VCE(sat)): 在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下,最大值为400mV(@50mA,4A)
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为100nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值为500(@100mA,2V)
  • 最大功率耗散: 2W
  • 频率响应: 跃迁频率为150MHz
  • 工作温度范围: -55°C至150°C(TJ)
  • 封装类型: TO-243AA/SOT-89-3,表面贴装型

典型应用

FCX688BTA适用于各种场合,包括但不限于:

  1. 开关电源: 由于其高Ic值和良好的频率特性,可以高效地在开关电源设计中使用。
  2. 信号放大: 凭借其高增益特性,FCX688BTA可在音频和无线通信应用中用于信号放大。
  3. 逻辑电路: 在数字电路中,FCX688BTA可以作为开关元件,实现二进制逻辑操作。
  4. 功率放大器: 适用于RF放大器应用,尤其是在高频操作条件下表现出色。

优势分析

  1. 高电流增益: 最低hFE达500,能够有效提高电路的工作效率,减小驱动电流的需求,特别是在低功耗应用中尤为重要。
  2. 宽工作温度范围: -55°C至150°C的工作温度范围使该器件适用于高温和低温的环境,提供了广泛的应用可能性。
  3. 低饱和压降: 400mV的低饱和压降,能够在最小化功率损耗的同时,确保在高负载条件下也能将电流有效地导出。
  4. 极小的封装: SOT-89-3表面贴装型封装不仅节省了PCB空间,还简化了自动化生产过程,提高了组装效率和制造成本的控制。

选用建议

在设计电子电路时,选择FCX688BTA作为晶体管的方案需考虑以下几点:

  • 负载要求: 确保集电极负载在3A以下,以防止被击穿。
  • 散热管理: 虽然该元器件的最大功率能力为2W,但仍需合理设计散热,以确保在高功率下稳定运行。
  • 电源电压: 使用时需确保电源电压不超过12V,以避免损坏元器件。

结论

FCX688BTA因其出色的电气特性和优异的制造工艺,为各种电子应用提供了可靠的性能。无论是在高频放大器、开关电源,还是在逻辑电路中,这款NPN型晶体管都能有效满足设计需求。选择FCX688BTA,意味着您选择了性能、耐用性及灵活性相结合的优质电子元器件。

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