DMN2112SN-7
DMN2112SN-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SC-59-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 220pF @ 10V |
DMN2112SN-7手册
DMN2112SN-7概述
DMN2112SN-7 产品概述
一、产品简介
DMN2112SN-7 是由Diodes Incorporated制造的一款高性能N通道MOSFET，专为各种电源管理和开关应用而设计。该器件采用SC-59封装（TO-236-3/SOT-23-3），表面贴装型的特性使其在现代电子设计中具备卓越的集成度和空间利用率。凭借其优异的电气性能和广泛的工作温度范围，DMN2112SN-7 在不同的电路应用中表现出色。
二、主要参数
- 制造商：Diodes Incorporated
- 类型：N 通道 MOSFET
- 封装形式：SC-59，适用于表面贴装
- 连续漏极电流 (Id)：1.2A @ 25°C, 确保在温升条件下能够稳定工作
- 驱动电压：1.5V 和 4.5V 下的 Rds On 特性，突显了在低压驱动情况下的良好性能
- 导通电阻：在Vgs为4.5V时，最大导通电阻为100毫欧（@500mA），降低了功耗和热量产生
- Vgs(th)：阈值电压为1.2V @ 1mA，优化了直接驱动的可控性
- 功率耗散：可支持的最大功率耗散为500mW，使其能够在高频或高负载条件下稳定运行
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ），适应严苛环境的设计需求
- 漏源电压（Vdss）：最大20V，适合多种电压应用
- 输入电容 (Ciss)：在10V时为220pF，便于快速开关和稳定性
三、应用领域
DMN2112SN-7的特性使其适合多种应用场景，包括但不限于：
电源开关：由于其低导通电阻和良好的热管理，该MOSFET在电源管理电路中表现出色，可以有效降低功耗。
负载开关：其N通道配置使得DMN2112SN-7能够在控制开关负载时提供优越的性能，非常适合自动化、家电产品以及便携式设备中。
热管理和高频应用：该器件的低输入电容和低导通电阻特性使其非常适合高频开关应用，能够有效降低切换损耗并提高整体效率。
小型电子设备：由于其小型封装和出色的性能，DMN2112SN-7也适用于移动设备和其他需要高功率密度的应用。
四、设计考量
在设计中使用DMN2112SN-7 MOSFET时，需要注意以下几点：
散热管理：虽然该器件的功率耗散为500mW，但在高负载或高环境温度的情况下，仍需合理设计散热方案，确保器件在安全工作温度范围内运行。
驱动电压与栅极驱动电流：在选择驱动电路时，应考虑Vgs的选择，以确保MOSFET能够在低功耗条件下迅速开启和关闭，从而提高开关效率。
系统兼容性：在集成DMN2112SN-7于更大系统时，需确保其漏源电压不超过20V，并评估是否需要其他保护电路以防止过流或过压对器件的影响。
五、总结
DMN2112SN-7是一款性能优越的N通道MOSFET，凭借其优秀的技术参数和广泛的应用灵活性，在电源管理、负载控制及小型电子设备中具有广泛的应用前景。设计师可以在多种电气设计中毫无疑问地选择此器件，以实现高效、安全的电源和开关控制方案。无论是在高温应用、低功耗需求还是高频率场景中，DMN2112SN-7都能提供稳定、可靠的表现。