DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13 产品概述

产品名称: DMN3024LSD-13
类别: N-通道 MOSFET
品牌: DIODES（美台）
封装类型: SO-8 (表面贴装型)

产品简介

DMN3024LSD-13 是一款高性能的 N-通道场效应管（MOSFET），专为需要高效能和可靠性的逻辑电平开关应用而设计。该器件具有优异的漏源电压 (Vdss) 可达30V，支持连续漏极电流 (Id) 达到6.8A，使其非常适合在各种中等功率应用中使用。

主要参数

• FET 类型: 双 N-通道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压 (Vdss): 30V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C: 6.8A
• 导通电阻: 最大值为 24毫欧 @ 7A，10V
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大值 12.9nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss): 最大值 608pF @ 15V
• 功率最大值: 1.8W
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C (TJ)

应用领域

DMN3024LSD-13 在多个领域中具有广泛的应用场景，尤其是在需要高开关频率与低导通损耗的电路中。以下是一些主要的应用领域：

1. 开关电源: 使用该 MOSFET 作为高效的开关元件，可以有效地提升开关电源的效率，减少热量的产生。
2. 电机驱动: 由于其良好的电流处理能力，该器件适用于电机驱动电路中的高频开关。
3. 负载开关: 能够在负载管理中快速切换，以控制电流的通断状态，适用于便携式设备、家用电器等。
4. 逻辑电平电路: 由于其逻辑电平控制能力，使其在微处理器和逻辑电路中成为理想选择。

性能优势

• 低导通电阻: 仅为最大24毫欧，这使得在高电流情况下能够有效降低功率损耗和发热，实现更高的工作效率。
• 宽工作温度范围: 从-55°C 到 150°C 的工作温度，确保其在严苛环境下的可靠性。
• 小型封装: SO-8 封装尺寸小、易于表面贴装，使其适合在空间有限的电路中使用，同时提高了PCB的设计灵活性。
• 高阈值电压: 最大3V的阈值电压，使其能够在较低的驱动电压下实现有效的开关操作，适合于低功耗设备。

结论

综上所述，DMN3024LSD-13 是一款功能强大、性能卓越的 N-通道 MOSFET，非常适合用于高效能的开关应用。无论是在电源管理、电子设备的负载开关，还是在电动机驱动方面，都能展现出其优异的性能表现。其优雅的设计、卓越的耐用性以及适应多变环境的能力，充分满足了现代电子设计要求，使其成为设计工程师的理想选择。