类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 8.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,2.9A |
功率(Pd) | 4.24W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.1nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.021nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 56pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP6A16KTC 是一款高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名制造商 Diodes Incorporated 生产。该器件被广泛应用于各类电子设备中,尤其是在需要高效电源管理和开关控制的场合。针对高频和高电流应用,这款 MOSFET 提供了高导通性能和良好的可靠性,是很多设计工程师的优选。
电气特性:
门极特性:
功耗与散热:
封装与安装:
ZXMP6A16KTC 的广泛应用包括但不限于:
ZXMP6A16KTC MOSFET 是一款性能优越的 P 通道器件,具有高电压、高电流、低导通电阻和优异的散热性等特性,使其在电源管理和驱动应用中表现卓越。无论是在消费电子、工业设备,还是汽车电子等领域,ZXMP6A16KTC 都能为设计者提供可靠的解决方案。通过选择 ZXMP6A16KTC,设计工程师能够提高产品的整体效率和性能,满足现代电子产品日益增长的应用需求。