晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2mA,5V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA,100mA |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
BC848BW-7-F 是一款高性能的 NPN 三极管,专为低功耗和高频应用而设计。它的广泛应用,包括信号放大、开关电路以及各种电子设备中,是现代电子设计不可或缺的组成部分。该三极管由知名制造商 DIODES(美台)提供,以其出色的电气性能和可靠性而闻名。
BC848BW-7-F 的主要技术参数如下:
高电流增益:BC848BW-7-F 提供的最低电流增益(hFE)为 200,确保在低输入电流条件下能够得到显著的输出性能。这使得它特别适合用于 RF 放大和信号处理电路。
低饱和压降:在开关应用中,饱和压降(Vce(sat))是一个关键参数。BC848BW-7-F 在 5 mA 和 100 mA 的工作状态下仍能保持低至 600 mV 的饱和压降,意味着在电流传递时能效高、热损耗少。
宽工作温度范围:该器件的工作温度范围为 -65 °C 至 150 °C,适合于各种苛刻环境,如航空航天、汽车电子和工业控制等领域。
高频性能:频率响应高达 300 MHz,BC848BW-7-F 能够满足现代高速电子电路的需求,这使其在调制解调器、无线电通信等应用中具备优势。
小型封装:采用 SOT-323 封装,绝对占用空间小,适合面向小型化和集成化的电子产品设计。
BC848BW-7-F 可广泛应用于多种电子电路,例如:
BC848BW-7-F 是一款设计卓越的 NPN 晶体管,凭借其高电流增益、低饱和压降、高频性能和宽工作温度范围,为用户的电子设计提供了极大的灵活性和可靠性。无论是在新兴的高科技领域还是传统电子设备中,BC848BW-7-F 都是实现高性能电路设计的理想选择。其紧凑的 SOT-323 封装更是满足了现代电子产品日益增长的空间需求,是设计师在选择元器件时值得信赖的选择。