类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 95mΩ@2.8A,4.5V |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 632pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMS2220LFDB-7 是一款由 Diodes Incorporated 提供的 P沟道场效应管 (MOSFET),广泛应用于各种电子优质电路设计中,尤其适合需要高效率和紧凑外形的现代电源管理和开关控制应用。该器件集成了先进的半导体技术,具备较高的功率处理能力和开关速度,非常符合当今市场对小型化、高效能电子元器件的需求。
额定电流和电压:
功率处理能力:
封装与尺寸:
开关性能:
热性能:
DMS2220LFDB-7 适用于多个电子领域,主要包括:
电源管理:
电机控制:
负载开关:
自动化控制:
作为 Diodes Incorporated 出品的 DMS2220LFDB-7,凭借其紧凑设计、可靠性能及多样化应用领域,在满足现代电路设计需求的同时,也为工程师提供了更多设计的灵活性。虽然此产品现已停产,但其特点和应用价值依然对市场产生响亮的影响,也为后续类似产品的设计提供了宝贵的经验与启示。
在选择代替产品时,建议关注具有相似电参数、封装形式和性能的 MOSFET,以确保新元器件能够在设计中实现相同的效果和可靠性。