类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 123mΩ@2.5V,2.6A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.25V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.3nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 443pF@16V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 101pF@16V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2123LQ-7是一款高性能P沟道MOSFET(场效应晶体管),由DIODES(美台)公司出品,广泛应用于低压电源管理、开关电源、电机控制和其他需要高效率和高开关频率的电子产品中。该器件在散热性能、导通电阻、驱动电压范围等方面表现优异,适合于多种应用场合。
DMP2123LQ-7采用SOT-23封装,具有以下主要电气参数:
DMP2123LQ-7的功率耗散为1.4W(Ta),结合其工作温度范围从-55°C到150°C,使其在不同环境条件下均可稳定工作。这样的热特性对于严酷的工业环境或高温应用尤为重要。
该产品采用表面贴装型(SMD)设计,可方便布板和焊接,适合于现代电子设备的PCB组装。DMP2123LQ-7的多种应用包括但不限于:
与同类产品相比,DMP2123LQ-7的独特优势在于其低导通电阻和出色的热管理特性,使其在效率和可靠性方面表现出色。同时,广泛的工作温度范围和兼容的驱动电压适用于不同的设计需求,使得它成为多种电子产品的理想选择。
DMP2123LQ-7凭借其高效的性能及多功能特性,成为电源管理和开关应用领域中的一款重要元件。凭借环保和节能的设计理念,适应现代电子设备对于高效能和高集成度的需求,可以预期该MOSFET将在未来的电子产线上发挥重要的作用。
具备全方位的电气参数和热特性,DMP2123LQ-7为设计工程师提供了灵活性和选型的便利,是开发现代电子系统不可或缺的关键元件之一。