DMP3050LVT-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP3050LVT-7

商品编码: BM0000178803
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TSOT26
包装 : 
编带
重量 : 
0.037g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.8W 30V 4.5A 1个P沟道 TSOT-23-6
库存 :
3640(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.964
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.964
--
200+
¥0.741
--
1500+
¥0.645
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP3050LVT-7参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)1.6W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.1nC输入电容(Ciss@Vds)620pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)62pF@15V工作温度-55℃~+150℃

DMP3050LVT-7手册

DMP3050LVT-7概述

DMP3050LVT-7 产品概述

一、产品背景

DMP3050LVT-7 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能的P通道MOSFET(场效应晶体管),该器件专为高效能的电源管理和开关应用而设计。作为一种半导体元件,它广泛应用于各种电子设备和系统中,包括但不限于电源转换器、DC-DC变换器、负载开关、低压电源管理以及其他要求高效率和小型化的电子电路。

二、基本参数

  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 连续漏极电流(Id):4.5A(在25°C环境下)
  • 最大 Rds On 下的驱动电压:4.5V及10V
  • 导通电阻(Rds(on)):在4.5A、10V时最大值为50毫欧
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):在250µA下最大值为2V
  • 栅极电荷(Qg):最大值为10.5nC,在10V下测试
  • Vgs(最大值):±25V
  • 输入电容 (Ciss):在15V时最大值为620pF
  • 功率耗散(Pd):最大1.8W(在25°C环境温度下)
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(结温TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TSOT-26(SOT-23-6细型)

三、产品特性

DMP3050LVT-7 的设计注重热管理和高效能,具有低导通电阻的特点,这意味着在负载电流通过时,功耗极低。此外,该MOSFET 还支持广泛的工作温度范围,从-55°C 到 150°C,确保其在极端环境下的可靠性和性能。其最低的栅源阈值电压 (Vgs(th) 为 2V) 使该组件适合在较低电压下工作,方便与其他逻辑电平兼容的电路集成。

四、应用范围

DMP3050LVT-7 广泛应用于各种电源管理解决方案中,主要应用包括:

  1. 开关电源:用作控制开关元件,优化电能转化效率。
  2. DC-DC 转换器:能够承受较高的电压和电流,适合用于高频转换。
  3. 负载开关:在电流控制方面表现优异,用于在负载回路中进行开关操作。
  4. 电源管理和监控:能够精确地控制电源流并避免过载,保护下游元件。
  5. 工业控制和自动化:在多种工业设备中,用于控制电源和信号切换。

五、封装与安装

DMP3050LVT-7 采用 TSOT-26 表面贴装封装,这种细型封装不仅在空间有限的应用中极具优势,还能确保良好的散热性能。同时,表面贴装的设计便于自动化生产,提高了装配的效率。

六、总结

作为DIODES(美台)公司的一款卓越的P通道MOSFET,DMP3050LVT-7 集成了高性能特征和宽泛的应用灵活性,适合要求高效率和小型化的现代电子设计。其强大的参数和可靠的工作环境条件,确保了在多种严苛应用场景下的出色表现,为用户提供了稳定的电源解决方案。