类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 1.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.1nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 620pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 62pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP3050LVT-7 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能的P通道MOSFET(场效应晶体管),该器件专为高效能的电源管理和开关应用而设计。作为一种半导体元件,它广泛应用于各种电子设备和系统中,包括但不限于电源转换器、DC-DC变换器、负载开关、低压电源管理以及其他要求高效率和小型化的电子电路。
DMP3050LVT-7 的设计注重热管理和高效能,具有低导通电阻的特点,这意味着在负载电流通过时,功耗极低。此外,该MOSFET 还支持广泛的工作温度范围,从-55°C 到 150°C,确保其在极端环境下的可靠性和性能。其最低的栅源阈值电压 (Vgs(th) 为 2V) 使该组件适合在较低电压下工作,方便与其他逻辑电平兼容的电路集成。
DMP3050LVT-7 广泛应用于各种电源管理解决方案中,主要应用包括:
DMP3050LVT-7 采用 TSOT-26 表面贴装封装,这种细型封装不仅在空间有限的应用中极具优势,还能确保良好的散热性能。同时,表面贴装的设计便于自动化生产,提高了装配的效率。
作为DIODES(美台)公司的一款卓越的P通道MOSFET,DMP3050LVT-7 集成了高性能特征和宽泛的应用灵活性,适合要求高效率和小型化的现代电子设计。其强大的参数和可靠的工作环境条件,确保了在多种严苛应用场景下的出色表现,为用户提供了稳定的电源解决方案。