类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 6.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V |
功率(Pd) | 1.52W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.64nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 128pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP4025LSS-13 是由Diodes Incorporated制造的一款P沟道MOSFET场效应管,采用表面贴装型封装(SO-8),其主要特性包括:最大漏源电压为40V,连续漏极电流为6A,功率耗散能力最高可达1.52W,适用的工作温度范围广泛,达到-55°C至150°C。这些特性使其在多个电子电路设计中具备了良好的适应性。
漏源电压(Vdss):40V
持续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):最大25毫欧 @ 3A, 10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):最大1.8V @ 250µA
工作温度:-55°C ~ 150°C
封装:8-SOIC
DMP4025LSS-13因其优秀的电气特性与温度适应范围,广泛应用于以下领域:
电源管理系统:
马达驱动:
负载开关:
信号放大器:
高效率:
良好的热管理能力:
兼容性强:
高可靠性:
DMP4025LSS-13 是一款性能优异的P沟道MOSFET,凭借其卓越的电气参数和工作范围,在现代电子产品中占据了重要的地位。其应用广泛,适用于电源管理、马达驱动及负载开关等多种场合,为设计师提供了可靠的解决方案。选择DMP4025LSS-13,不仅可以简化设计流程,还能显著提升产品的整体性能与稳定性。