晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 9A |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 12.8W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 130@9A,2V | 特征频率(fT) | 160MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 35mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTN19020D是一款高性能的NPN三极管,属于Diodes Incorporated的产品系列,特别设计用于支持高功率、高频电路的应用。这款产品具有出色的电流增益特性和快速的跃迁频率,适合在广泛的电子设备中使用,尤其是在需要高效率和低功耗的场合。ZXTN19020D的封装采用了SOT-223形式,这使得其在表面贴装设计中具有很好的适应性。
ZXTN19020D的多功能特性使其在多个领域均可广泛应用,包括但不限于:
ZXTN19020D的设计优点在于其低Vce的饱和压降(250mV),这意味着在驱动高负载的时候,可以减少功耗并提升能效。此外,ICBO的截止电流仅为50nA,表明其在低电压条件下能够有效的防止电流泄漏,从而提高线路的稳定性和整体性能。
为了最大限度地发挥ZXTN19020D的性能,推荐在设计电路时:
ZXTN19020D是一款具备高电流、高电压耐受能力的NPN三极管,非常适合现代电子产品的高效能需求。其优越的增益特性及低饱和压降使其在多种电路设计中都能发挥关键作用。作为Diodes Incorporated的一员,ZXTN19020D不但继承了品牌的高标准制造工艺,更在使用方面为工程师提供了极大的灵活性和可靠性。
如有更多需求,建议访问Diodes的官方网站或咨询专业工程师,以获取最详细的技术支持和应用指导。