FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 73 毫欧 @ 3.1mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.6nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 305.8pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 740mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品概述: DMN3110S-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由知名半导体供应商 DIODES(美台)生产。它具有卓越的电流控制能力和优越的导通特性,特别适合低功耗和高效率的电子应用。这款 MOSFET 支持高达 30V 的漏源电压,以及 2.5A 的连续漏极电流,能够在各种严苛环境下稳定工作。
关键特点:
电压和电流特性:
低导通电阻:
栅极阈值电压:
高开关速度和低栅极电荷:
工作温度范围和功率耗散:
封装与安装类型:
应用场景: DMN3110S-7 被广泛应用于:
总结: DMN3110S-7 MOSFET 提供了卓越的性能和高度的可靠性,适合于多种电子设计需求。其低导通电阻、高开关速度及宽温工作范围使其在电源管理和开关应用中具有极大的优势。作为 DIODES(美台)所推出的产品,该 MOSFET 解决方案充分满足现代电子设备对高效能和小型化封装的需求,确保了其在激烈竞争的市场中的吸引力和实用性。无论是针对工业、消费电子还是汽车应用,DMN3110S-7 都是设计工程师的理想选择。