晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 1.6W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@1A,2V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@1A,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FZT790ATA是一款由Diodes Incorporated生产的高性能PNP型晶体管,其广泛应用于各种电子电路中。该产品采用SOT-223封装,具有卷带(TR)包装形式,适合表面贴装。这款晶体管设计用于在高温区域(-55°C至150°C)下可靠运行,并能满足高功率和高电流的需求,是电源管理、音频放大及其他相关应用的理想选择。
工作电压与电流能力
FZT790ATA的集电极-发射极(Vce)击穿电压最大为40V,支持高达3A的集电极电流(Ic),因此在高负载条件下稳定工作。此外,其在50mA和2A条件下的饱和压降(Vce(sat))最大值为750mV,确保高效的功率管理。
增益特性
该器件具备出色的直流电流增益(hFE),在10mA、2V的测试条件下,最小值可达到300,这使得FZT790ATA特别适用于信号放大应用。高增益特性亦能有效减少驱动电流,从而提升系统整体的能效。
低漏电流
FZT790ATA在集电极截止状态下的最大漏电流(ICBO)仅为100nA,这为高精度应用提供了必要的电气隔离,降低了功耗。
频率响应
该晶体管具备100MHz的跃迁频率,这使其在高速开关应用也能有效进行信号耦合,为各种利用高频特性的设备(如开关电源、调制解调器等)提供了极大的便利。
FZT790ATA适用的场合极为广泛,包括但不限于:
FZT790ATA作为一款PNP类型的晶体管,不仅具备强大的电气性能,还在应用兼容性上具有极大的优势。其优异的增益特性与低饱和压降,使其在功率转换和信号放大的电路中表现卓越。同时,耐广泛的工作温度范围和低漏电流特性,确保了在极端环境下的可靠运行。
FZT790ATA凭借其出色的电气参数、良好的散热性能及广泛的应用兼容性,成为设计师在选型时的重要考量。选择FZT790ATA意味着可以在设计中实现高效、稳定的电路性能,是高标准电子产品开发中的理想选择。无论是进行新的电路设计,还是更新现有产品,均可确保在技术和性能上的领先地位。