类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 250V |
连续漏极电流(Id) | 80mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.8Ω@10V,0.1A |
功率(Pd) | 360mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@56uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.3nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 60pF@3V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2.6pF@3V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSS139IXTSA1 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)制造的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。采用SOT-23-3封装,具有优异的电性能和广泛的应用潜力,适合在各种电子电路中使用。该产品不仅在性能上表现出色,还具备小巧的体积特点,适合高密度电路板设计。
BSS139IXTSA1 MOSFET 广泛应用于开关和放大电路,特别适合于电源转换和负载开关。由于其高耐压和较低的导通电阻,该器件可以有效地处理过电流和高电压的工作条件。这使得它在各种行业应用中成为理想选择,包括但不限于:
BSS139IXTSA1 具备多个显著的性能优势:
在使用BSS139IXTSA1时,需要注意以下几点:
BSS139IXTSA1 是一款性能优良、操作简便的N沟道MOSFET,适合用于各种电子元件组合中。凭借其卓越的电气特性和宽广的应用范围,BSS139IXTSA1 定会为设计师们提供更多创新的电路解决方案,帮助他们在激烈的市场中脱颖而出。无论是工业控制、消费电子还是汽车电子领域,BSS139IXTSA1 都将是值得信赖的选择。