BSS169IXTSA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BSS169IXTSA1

商品编码: BM0000203104
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 360mW 100V 190mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.547
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.547
--
3000+
¥0.509
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS169IXTSA1参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)190mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.9Ω@10V,0.19A
功率(Pd)360mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)2.1nC@3到7V输入电容(Ciss@Vds)51pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)4pF@10V工作温度-55℃~+150℃

BSS169IXTSA1手册

BSS169IXTSA1概述

BSS169IXTSA1 产品概述

BSS169IXTSA1 是由知名半导体制造商英飞凌(Infineon Technologies)生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),广泛应用于各种电子设备和电路中。该产品的设计旨在提供优异的电气性能,是低功耗开关应用和信号控制的理想选择。其独特的参数设计使其在工业、汽车及消费电子领域得到了广泛的应用。

关键参数

  • 制造商:英飞凌(Infineon Technologies)
  • 包装类型:卷带(TR),便于自动化贴片生产
  • 零件状态:在售,确保持续的供应链支持
  • FET 类型:N 通道,这种类型的 MOSFET 通常用于高效的开关和放大作用
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),具有良好的导电性能和开关特性

电气特性

  • 漏源电压(Vdss):100 V,适合用于高电压电路
  • 25°C 时的电流 – 连续漏极 (Id):190 mA,足以支持多种实际应用
  • 导通电阻(Rds(on)):最大 2.9 Ω @ 190 mA,10V,这一较低的导通电阻能有效减少功耗
  • 栅极电压(Vgs):最大值为 ±20V,适应多种工作环境
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大 1.8V @ 50µA,提供可靠的开关性能
  • 栅极电荷 (Qg):最大 2.1 nC @ 7 V,保证快速的开关速度
  • 输入电容 (Ciss):最大 51 pF @ 25 V,适合高速信号处理

机械特性

  • 功率耗散(最大值):360 mW(Ta),在不同工作环境下能够保持良好的散热性能,延长组件的使用寿命
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C(TJ),保障广泛的应用范围,无论是在极端环境下还是正常条件下均可稳定工作
  • 安装类型:表面贴装型,适应现代电子产品小型化和集成化的趋势
  • 封装类型:PG-SOT-23-3,标准的、易于处理的封装方式,适合自动化生产和装配

应用场景

BSS169IXTSA1 的设计使其能够在多种应用中展现出优良的性能,诸如:

  1. 开关电源:由于其高压和高电流处理能力,适合用作开关电源中的开关元件。
  2. 电机驱动:可以用于驱动小型直流电机、步进电机等。
  3. 信号开关:能够在快速切换信号的场合中,提供准确的电子开关功能。
  4. 继电器替代:在许多应用中可替代机械继电器,尤其是要求快速响应和长寿命的场合。
  5. LED 驱动:可用于LED照明系统的电流控制,提高能效。

结论

综上所述,BSS169IXTSA1 以其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,成为了电子设计中不可或缺的基础元件。其高效能、可靠性及灵活性,使其适用于各种高级应用场合,无论是新产品开发还是传统电子设备的升级改造,BSS169IXTSA1 都能够提供稳定的性能和强大的支持。