WNM5002-3/TR
WNM5002-3/TR参数
| 漏源电压(Vdss) | 50V | 连续漏极电流(Id) | 500mA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1Ω@2.5V,0.01A | 功率(Pd) | 690mW |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.6nC@10V |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 36pF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF@5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
WNM5002-3/TR手册
WNM5002-3/TR概述
WNM5002-3/TR 产品概述
一、产品简介
WNM5002-3/TR 是一款由韦尔半导体（WILLSEMI）推出的绝缘栅场效应管（MOSFET），使用了SOT-23封装，广泛应用于各种低功耗和高效率的电子设备中。作为一款功能强大且易于集成的MOSFET，WNM5002-3/TR 在开关电源、负载开关、驱动电路和各种智能消费类产品中展现了优越的性能。
二、关键特性
高效能低导通电阻：WNM5002-3/TR 提供低导通电阻，使得其在高频和大电流下具有优异的导电性能，显著降低了功耗和热量产生，提高了系统的整体效率。
宽电压工作范围：该MOSFET支持较宽的工作电压范围，这意味着它可以在多种不同的电源电压下稳定工作，增强了应用的灵活性和多样性。
快速开关速度：由于其结构设计，WNM5002-3/TR 实现了快速的开关操作，适用于高频率的开关电源和电机驱动器，减少开关损耗，从而提高系统性能。
耐高温性能：该MOSFET具有良好的热稳定性和耐热性能，能够在严苛的工作环境中保持稳定性能，保证了器件和整个电路的可靠性。
小型化封装：SOT-23封装的设计使得WNM5002-3/TR 体积小巧、易于布局，满足现代电子设备对小型化、轻量化的需求，尤其是在便携式设备设计中。
三、应用领域
WNM5002-3/TR MOSFET 产品因其卓越的性能，广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源：常用于开关电源（SMPS）中，承担高频开关控制及电源调节，提升电源转换效率。
电池管理系统：在电池充放电过程中，通过MOSFET进行智能开关控制，保障电池系统的安全性与高效性。
自动化设备：在各种工业自动化和家用电器中，用于驱动负载和实现精确控制，提高产品可靠性及维修的便捷性。
通讯设备：在无线通讯和网络设备中，该MOSFET可以用于载波控制和信号开关，确保高效信号传输。
LED驱动：作为LED驱动电路中的开关元件，能够以高效的方式调节电流，实现精准亮度控制和延长LED的使用寿命。
四、主要技术规格
WNM5002-3/TR 的主要技术指标包括：
- 最大漏电流（Id）：适应高负载条件，提供可靠的电流承载能力。
- 漏极-源极击穿电压（Vds）：具有较高的击穿电压，确保在高电压环境下的安全性。
- 栅极-源极击穿电压（Vgs）：为器件提供足够的栅极压差，保证开关灵活有限制条件。
- 正向导通电压（Vgs）：在正向光心开启状态下可实现可接受的导通电压。
五、总结
WNM5002-3/TR 是一款高性能的MOSFET，其优异的电气性能和小型化的封装设计，使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。凭借低导通电阻和快速开关能力，该元器件能够满足各种工业、消费类及通信领域的需求，推动高效能电子产品的发展。无论是用于电源稳压、负载控制，还是电池管理系统，WNM5002-3/TR 都展现了良好的应用价值和技术特点，是您可靠的选择。