WNM5002-3/TR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

WNM5002-3/TR

商品编码: BM69420147
品牌 : 
WILLSEMI(韦尔)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
15947(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.0883
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.0883
--
3000+
¥0.0699
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

WNM5002-3/TR参数

漏源电压(Vdss)50V连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.1Ω@2.5V,0.01A功率(Pd)690mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)1.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)36pF反向传输电容(Crss@Vds)12pF@5V
工作温度-55℃~+150℃

WNM5002-3/TR手册

WNM5002-3/TR概述

WNM5002-3/TR 产品概述

一、产品简介

WNM5002-3/TR 是一款由韦尔半导体(WILLSEMI)推出的绝缘栅场效应管(MOSFET),使用了SOT-23封装,广泛应用于各种低功耗和高效率的电子设备中。作为一款功能强大且易于集成的MOSFET,WNM5002-3/TR 在开关电源、负载开关、驱动电路和各种智能消费类产品中展现了优越的性能。

二、关键特性

  1. 高效能低导通电阻:WNM5002-3/TR 提供低导通电阻,使得其在高频和大电流下具有优异的导电性能,显著降低了功耗和热量产生,提高了系统的整体效率。

  2. 宽电压工作范围:该MOSFET支持较宽的工作电压范围,这意味着它可以在多种不同的电源电压下稳定工作,增强了应用的灵活性和多样性。

  3. 快速开关速度:由于其结构设计,WNM5002-3/TR 实现了快速的开关操作,适用于高频率的开关电源和电机驱动器,减少开关损耗,从而提高系统性能。

  4. 耐高温性能:该MOSFET具有良好的热稳定性和耐热性能,能够在严苛的工作环境中保持稳定性能,保证了器件和整个电路的可靠性。

  5. 小型化封装:SOT-23封装的设计使得WNM5002-3/TR 体积小巧、易于布局,满足现代电子设备对小型化、轻量化的需求,尤其是在便携式设备设计中。

三、应用领域

WNM5002-3/TR MOSFET 产品因其卓越的性能,广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源:常用于开关电源(SMPS)中,承担高频开关控制及电源调节,提升电源转换效率。

  2. 电池管理系统:在电池充放电过程中,通过MOSFET进行智能开关控制,保障电池系统的安全性与高效性。

  3. 自动化设备:在各种工业自动化和家用电器中,用于驱动负载和实现精确控制,提高产品可靠性及维修的便捷性。

  4. 通讯设备:在无线通讯和网络设备中,该MOSFET可以用于载波控制和信号开关,确保高效信号传输。

  5. LED驱动:作为LED驱动电路中的开关元件,能够以高效的方式调节电流,实现精准亮度控制和延长LED的使用寿命。

四、主要技术规格

WNM5002-3/TR 的主要技术指标包括:

  • 最大漏电流(Id):适应高负载条件,提供可靠的电流承载能力。
  • 漏极-源极击穿电压(Vds):具有较高的击穿电压,确保在高电压环境下的安全性。
  • 栅极-源极击穿电压(Vgs):为器件提供足够的栅极压差,保证开关灵活有限制条件。
  • 正向导通电压(Vgs):在正向光心开启状态下可实现可接受的导通电压。

五、总结

WNM5002-3/TR 是一款高性能的MOSFET,其优异的电气性能和小型化的封装设计,使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。凭借低导通电阻和快速开关能力,该元器件能够满足各种工业、消费类及通信领域的需求,推动高效能电子产品的发展。无论是用于电源稳压、负载控制,还是电池管理系统,WNM5002-3/TR 都展现了良好的应用价值和技术特点,是您可靠的选择。