IRL7486MTRPBF

IRL7486MTRPBF 产品概述

1. 概述

IRL7486MTRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET。这款器件采用了先进的 HEXFET® 和 StrongIRFET™ 技术，专为高效能和高功率应用设计。它的封装采用了 DirectFET™ Isometric ME，这种设计允许更好的热管理和更小的占板空间，使得 IRL7486MTRPBF 在各种电子电路中表现出色，尤其在高频率和高电流应用中表现尤为突出。

2. 关键规格

IRL7486MTRPBF 的主要参数包括：

• 连续漏极电流 (Id): 最高可达 209A，适用于高负载条件。
• 漏源电压 (Vdss): 最大至 40V，适应更多中低电压应用。
• 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动下，最大仅为 1.25毫欧，意味着在传输信号和电能时损耗极小，提高了系统的整体效率。
• 功率耗散: 最高功耗可达 104W，确保在高功率应用中的可靠性。
• 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，体现了其在极端环境下的稳定性。

3. 驱动和电容参数

IRL7486MTRPBF 在驱动电压上的要求也相对灵活，最小栅极驱动电压为 4.5V，最大为 10V，能够适应多种驱动电路设计。在不同 Id 和 Vgs 的条件下，其栅极电荷 (Qg) 最大值为 111nC @ 4.5V，有助于快速开关操作，降低开关损耗。同时，其输入电容 (Ciss) 在 25V 时最大为 6904pF，提供了较低的驱动功耗。

4. 应用场景

IRL7486MTRPBF 特别适用于电源转换、DC-DC变换器、电动机驱动、逆变器和大功率开关电源等应用。其高效率和高电流承载能力使其在电动车辆、工业自动化、计算机电源以及便携式设备中均可发挥重要作用。此外，凭借其耐高温及强环保性能，也适用于航空航天及军事通信等要求严格的领域。

5. 封装和安装

该器件采用 DirectFET™ Isometric ME 封装，这种表面贴装型设计有效降低了空间占用，使其易于集成到各种电路板上。DirectFET 的设计方式还能提高散热性能，确保 MOSFET 在高功率应用中能够保持稳定的工作温度，从而延长器件的使用寿命。

6. 总结

结合其卓越的电气特性和可靠的热管理，IRL7486MTRPBF 是一款极具吸引力的 N 通道 MOSFET，能够满足现代电子设备对高效、紧凑和强大电流处理能力的需求。无论是在工业、消费电子还是高功率电源方面，IRL7486MTRPBF 都是一个值得信赖的选择，为设计工程师提供了更多灵活性和可能性。