类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 400mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V,400mA |
功率(Pd) | 580mW;12.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.8V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 120pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
1. 产品简介
BSS87 和 BSS115 是由 Nexperia(安世)生产的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计专注于高效能、可靠性和多样化的应用。它们属于同一系列,具有相似的电气特性和封装设计,广泛应用于各种电子电路中。
2. 基本参数
3. 封装与安装类型
BSS87 和 BSS115 都采用 SOT-89 表面贴装型封装(TO-243AA),其紧凑的体积及封装设计适合高密度组件的布局,广泛应用于便携式和消费电子产品。同时,表面贴装技术简化了焊接过程,提高了生产效率。
4. 应用场景
BSS87 和 BSS115 的广泛应用包括但不限于以下几个领域:
5. 性能优势
BSS87 和 BSS115 的设计不仅侧重于高效能与高压应用,更在性能方面有显著优势:
6. 总结
总结来说,BSS87 和 BSS115 MOSFET 是性能卓越、适用范围广泛的N沟道场效应管,适合多种应用领域。凭借其出色的电气参数和良好的工作温度范围,这一系列 MOSFET 不仅满足了现代电子设备的设计需求,还为未来的创新应用提供了坚实的基础。对于开发者和工程师而言,选择这些器件能有效提升产品的性能与可靠性。