类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.7Ω@10V,3.0A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 490pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4.5pF@1.0V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFR430ATRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由威世(VISHAY)公司生产。该器件专为高效能、高可靠性的电源管理与开关应用而设计,具有出色的导通能力和低导通电阻,适用于广泛的工业和消费类电子产品。
IRFR430ATRPBF 采用 D-Pak 封装(TO-252-3),适合表面贴装(SMT)技术,有助于提升PCB的设计密度。D-Pak 封装不仅支持良好的散热性能,还简化了器件的自动化组装过程。
该 MOSFET 适用于多种应用,包括:
IRFR430ATRPBF 是一款兼具高压、大电流和高效率特性的 MOSFET,适合用于多种高性能电源管理解决方案。其卓越的导通电阻和广泛的工作温度范围,使其成为工业和消费类电子应用中不可或缺的元件。凭借威世的信誉和科技积累,此器件将在电源设计中提供强有力的支持与信赖,推动电路设计的更高效率和稳定性。